二手 NISSIN Exceed 2000A #293775733 待售
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ID: 293775733
优质的: 1999
Ion implanter
ULVAC Cryo-U8HSP Cryo pump
ULVAC Cryo-U12HSP Cryo pump
SHMADZU Turbo molecular pump
Chiller
Gases: Boron trifluoride, Arsine, Phosphine
1999 vintage.
NISSIN Exceed 2000A是一种高性能的离子植入器和监控设备，旨在为半导体行业的广泛应用提供精确可靠的离子植入过程。这套先进的系统提供了一套全面的特性和功能，使用户能够以最高的效率和准确性实现卓越的植入效果。NISSIN EXCEED 2000 A配备了多用途的离子源，可以产生多种离子种类，包括硼、磷、砷和其他半导体制造常用的掺杂剂。离子源可以很容易地配置，以满足不同植入过程的具体要求，让用户实现对能量、电流密度、剂量等离子束特性的精确控制。Except 2000A的主要优点之一就是其先进的束线设计，确保在整个植入过程中最优的离子束传输和聚焦。该单元以一系列静电和磁性透镜为特色，有助于最小化光束发散，保持高光束质量，导致整个目标表面均匀植入。此外,机器的光束线还配备了先进的诊断工具,能够实时监控光束参数,从而使用户能够快速识别和纠正与所需植入条件的偏差。在植入控制和自动化方面,EXCEED 2000 A提供了一个非常直观的用户界面,可轻松访问各种流程参数和操作设置。该工具的软件允许用户创建定制植入配方，精确控制植入深度、剂量分布和植入角度，确保设备性能和产量最佳。此外,资产的自动化功能允许与其他工艺设备（如掩码对齐器和晶圆处理器）进行无缝集成,以简化整个制造过程并提高吞吐量。在过程监控和表征方面,NISSIN Exceed 2000A提供了一套综合的现场计量工具,用户可以实时评估和优化植入结果。这些工具包括二次离子质谱（SIMS）、卢瑟福反向散射光谱（RBS）和薄片电阻测量能力，使用户能够以高精度和准确性评估掺杂剂分布、深度剖面和植入晶片的电性能。通过提供详细的过程反馈和分析，这些计量学工具帮助用户微调植入配方并实现所需的设备性能特性。总体而言,NISSIN EXCEED 2000 A是一种先进的离子植入器和显示器模型,它结合了先进的技术、精确的控制和自动化的操作,为半导体制造提供了卓越的植入效果。凭借其通用的离子源、先进的束线设计、直观的用户界面以及全面的过程监控功能,Except 2000A为各种半导体应用中的高性能离子植入过程提供了完整的解决方桉。
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