二手 VARIAN E1000 #145999 待售

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ID: 145999
Ion implanter, 8" Maximum beam energy: 200kV Facilities: Electrical: 380-460V, 3-phase, 4-wire, 50kVA 100A Main CB, 18,000 IC, 60Hz 25A Max single load Water: Inlet pressure: 40 to 100 psi (275.8 to 689.5 kPa) Pressure drop: 40 psi (275.8 kPa) Flow rate: 18 gpm minimum (68.1 L/min) Inlet temperature range: 50 to 68°F (10 to 20°C) Nitrogen pressure range: 50 to 100 psi (334.7 to 689.5 kPa) Air pressure range range: 100 to 125 psi (689.5 to 861.8 kPa) Exhaust: Flow rate: 1,200 cfm minimum (34.0 m^3/min) Pressure drop: 1.5 in H2O (373.36 Pa) Tool shutdown Q1 2009 Currently installed and located in cleanroom in fab 1997 vintage.
VARIAN E1000离子植入器和监视器是来自VARIAN半导体设备的高性能离子植入器和监视器。该装置旨在将掺杂剂和其他离子植入半导体芯片和材料中,以提高材料的电性能。常用于掺杂硅片製作晶片和元件。VARIAN E-1000离子植入器具有广泛的特点,包括先进的光束电流和能量控制,先进的角度控制,先进的空间通道补偿,以及先进的运行结束(EOR)技术。E 1000的能量范围高达30 keV,具有快速的上升/下降时间,允许快速的开关宽度调节。VARIAN E 1000还提供了一个板载横梁腔室,以尽量减少组件腔室的变化次数。E-1000的剂量率很高,在跑步开始后200毫秒内提供250mA/cm2。这种高剂量率结合其Advanced End-of-Run技术,允许在所有过程细胞中实现均匀的剂量分布,提高了整个过程的均匀性。E1000可以在一次运行中钝化多个结构,以及多层次结构,提供均匀、名义上成型的剂量分布。VARIAN E1000还被设计为最大限度地提高正常运行时间和吞吐量。在晶圆加工之前可以进行自动化的刀具鉴定检查,快速的光束状态切换允许从植入物到植入物的快速转换。VARIAN E-1000先进的高级光束调校和控制,加上先进的空间通道补偿和先进的角度控制,使得植入比以往任何时候都更加精确。除了快速处理和精确植入物的好处外,E 1000还提供了交互式、图形化的用户界面,简化晶圆植入物的操作和监控。此用户界面允许操作员快速访问和修改VARIAN E 1000的设置,并修改植入参数以满足客户的需求。总体而言,E-1000离子植入器和监控器是一种先进的高性能工具,可以将掺杂剂和其他离子植入半导体芯片和材料中。它能够在各种各样的加工细胞中提供精确和均匀的植入物,从而能够有效地制造芯片。通过其用户友好的界面,快速切换植入参数和自动化的工具资格检查,E1000可以最大限度地提高生产的时间和吞吐量。
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