二手 PHILIPS / FEI Strata 400 #9172655 待售
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ID: 9172655
Dual ion beam system
Electron source: Schottky Thermal field emitter
Ion source: Gallium liquid metal
Image resolution: <0.8 nm achievable SEM-STEM Mode
Maximum sample size: 75 mm diameter
Loadlock compatible
PC
Power rack
Desk
Does not include EDS and chiller
Sample types:
Wafer pieces
Packaged parts
TEM Half-grids
Flip stage:
Removable row holder up to (6) TEM Grids
Total tilt range: >150°C
External load base: Loading / Unloading grids from row holder
In-situ section extraction system
SEM-STEM Detector:
Multi-region:
Bright field
Dark field
(12) High-angle dark field segments
Key options:
Gas chemistry: Range of proprietary deposition and etch chemistries (TEOS, W, Pt)
Hardware: OMNIPROBE 200
Beam voltage:
SEM: 200 V - 30 kV
FIB: 2 kV - 30 kV
User interface:
GUI with integrated SEM, FIB, GIS
Imaging and patterning
Simultaneous patterning and imaging mode
Operating system: Windows 2000.
PHILIPS/FEI Strata 400离子铣削设备是一种先进的离子铣削系统，设计用于表面的精密蚀刻和清洁。它是一种离子铣削技术，用于实现极细的表面光洁度和高度的表面控制。这个单元利用强大的广谱高能离子，同时研磨非金属和金属材料的表面，得到均匀的地形。该机是一个紧密集成的工具，由两个主要组件组成：离子源和溅射室。离子源是高压、高电流电弧离子源，具有两种主要离子能量范围和两种不同的触发方法（脉冲和连续）。该源可以在预定的能量范围内产生离子，提供宽束覆盖。溅射室是一个封闭的室，一侧装有等离子体反应室，另一侧装有静电束转向组件。等离子体反应室是一个充满惰性气体的真空室，允许电离粒子自由移动，同时帮助保护样品免受氧化。光束转向组件有助于有选择地将离子引导到要进行蚀刻或清洁的特定区域。总体而言,FEI Strata 400旨在为用户提供精确一致的离子铣削工艺,以进行高分辨率的蚀刻和清洁应用。利用大范围的离子能量和选择性的光束转向组件，用户能够以极高的精度实现样品表面的均匀光洁度和均匀的表面纹理。此外，由于该工艺是各向异性和非选择性的，因此不需要特殊的制图技术或后处理技术。
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