二手 EVG / EV GROUP 610 #293615268 待售

EVG / EV GROUP 610
製造商
EVG / EV GROUP
模型
610
ID: 293615268
Mask aligner Wafer thickness: 0.1 mm to 10 mm Exposure area, 6" Uniformity: < 4% UV Intensity meter with prober: 365 nm Alignment capability: Topside alignment: <0.5 µm Bottom side alignment: <1.0 µm LED Light source: G, H, and I-Line wavelengths Modes: Constant power Constant intensity Constant dose Constant time exposure modes Exposure modes: Vacuum contact Proximity contact Hard and soft contact Alignment stage: Precision differential micrometer spindles Motorized Z-axis WEC Adjustable and exposure contact force Top side microscope: Manual split field Resolution visible light CCD Camera Digital zoom: 2x and 4x Travel range: X: 32 mm-150 mm Y: -75 mm / 30 mm Bottom side microscope: Manual split field Resolution visible light CCD camera Digital zoom 2x and 4x Travel range: X: 8 mm-100 mm Y: ±10 mm Mask holder: Size: 5" x 5" Exposure: Round opening Bottom loading with automated vacuum transfer Mask loading frame mask, 5" Vacuum contact wafer chuck: Manual load with pre-alignment aid BSA: Windows Hard coated and lapped Vacuum contact seal for wafers to thick: 1.5 mm.
EVG/EV GROUP 610是用于光刻的最先进的掩模对齐器。这种遮罩对齐器非常适合现代高精度应用。它提供了一个高度精确、快速和可重复的光刻工艺,能够在半导体工业中始终如一地产生具有最佳对齐可重复性的细线分辨率模式。EVG 610具有模块化体系结构,允许用户根据特定的生产要求定制机器。它有一个自上而下的6英寸的工作区域,这样基板就可以用大的平面视场处理到50毫米厚。精密级还提供2000 x 1000 μ m的扫描范围² 1 nm的分辨率。机动化的Z轴确保了掩模和基板在所有点之间的最佳平行性,并且高分辨率的光学系统允许最大放大1000倍,并且在整个视场范围内以± 1 μ m的高精度控制工作距离。EV GROUP 610具有多种特性,使其适合于广泛的应用,包括光刻胶曝光、对准蚀刻、纳米级图样和层配准。它同时支持UV和DUV光刻以及各种曝光源,从氙灯到ArF激光器。此外,该机器还与各种模式发生器、曝光头和曝光源控制器完全集成在一起,以实现光刻工艺的完全自动化。此掩码对齐器易于使用,需要最少的操作员干预。它具有用户友好的触摸屏界面,便于编程和监控光刻配方和过程。它还提供高级控制和反馈功能,实时提供光学和过程控制数据。610可以与其他光掩码制造解决方桉集成,允许用户开发自动化的多生命周期解决方桉。总之,EVG/EV GROUP 610是一种高度精确、通用且用户友好的掩模对齐器,是光刻应用的绝佳选择。这台机器提供了广泛的特性和功能,为用户提供出色的性能和可重复性,以满足他们的光掩模制造需求。
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