二手 LEICA / VISTEC LDS 3300M #180137 待售
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ID: 180137
晶圆大小: 4" - 8"
优质的: 2002
Automated Macro and Micro Defect Detection & Classification, 4" - 8"
(2) Loadports Open Cassette
SW Version VISCON NT ADD5.0.1.5581 SP1-F2
SW-Options: Inspection, EBR, Spot Check, Programmed Inspection, Review, Bare Wafer Alignment, KLA Image, Grab, Service Tools; Wafer-ID Reader Siemens-OCR
HSMS Interface
Microscop Options: Objectivs: 2,5x, 5x, 10x, 20x, 50x, 100x
Brightfield and Darkfield illumination
LFS/Z-Autofocus
Stage position repeatability < 2µm
MIC System Controller: Windows NT4
LAN Macro Options: Brightfield and Darkfield illumination (flash)
Sensitivity >30µm (Surface defects), >50µm (Embedded defects)
Capture rate > 95%; Repeatability > 90%
Macro ADC
MAC System Controller: Windows NT4; Dual CPU Pentium 3 2,8GHz
RAID Storage
LAN BR Options: Darkfield illumination
Accuracy < 100µm
2002 vintage.
LEICA/VISTEC LDS 3300M是为半导体工业设计的先进的掩模和晶圆检测设备。它采用了业界领先的LEICA 3D自动显微镜技术,即使在复杂的3D光学检查中也能实现高分辨率缺陷检测。该系统通过真正的计量功能提供完整的晶圆可视化,确保快速准确的结果,而无需手动干预。LEICA LDS3300M能够检测和分析掩模和晶片上的特定结构缺陷、模式变形和污染颗粒。它利用模式识别能力来检测模式中细微的形状或大小差异，并基于高分辨率光学检测数据重建3维图像。然后可以在纳米级对3D图像进行评估和检查。该单元配备了高精度晶片级和专有的图像处理软件，使用户能够从复杂的掩模和晶片图样中轻松快速地检测到小缺陷。该机先进的光学设计也确保了在各种照明条件下的最大分辨率和动态范围。VISTEC LDS 3300 M提供了广泛的检查功能,包括在各种视野、扫描大小和多种模式深度进行扫描。其他功能包括自动聚焦和自动曝光模式、多层缺陷审查和结果统计分析。高级图像处理算法提供了对缺陷结果和测量分析数据的即时访问。该工具还支持多种不同格式的图像分析，可与光学探测工具结合使用。LDS 3300 M资产的设计考虑到操作员的安全，操作方便用户。适用于要求最苛刻的半导体制造环境，易于安装、操作和维护。该模型提供高吞吐量的高设备数量和快速采样速度的快速分析能力。这些特点结合其可靠的性能，使其成为半导体掩模和晶圆检验的理想工具。
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