二手 RIBER 32 #9227851 待售
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ID: 9227851
Molecular beam epitaxy (MBE) system
GaN
Sources:
(6) Solid sources (Ga, Al, Mg, Eu, Er, Si)
Shutter control
SVTA RF 4.5 N2 Source
Shutter: N2
Auto-tuning
Water cooling
Ion removal power supply
Gas cabinet:
Up to (3) gas source controls
PFEIFFER Cube
MFC / Valve control
Alarm indication
Power supplies / Vacuum gauges:
Temperature control
Vacuum gauges
Shutter control
Cell / Substrate heater power supplies
RHEED
Cryo pump control
Ti sublimator
Substrate rotation
Load lock:
(4) Wafers, 2"
Soption pump / Mechanical pump station
Cryo pump CTI
RGA
Bake-out control
Ion pump
Gas purifier:
N2 purifier: <100 ppt
Liquid N2 delivery system
Computer:
Recipe editing
Source / Substrate temperature control
RGA
Vacuum
Base pressure: Main chamber
Sources:
Plasma: 600 W
HT source: Al, Ga. Er, Si, Eu
Dopant source: Eu, Mg.
分子束外延（MBE）是一种用于在基材上生长高质量材料薄层的技术。RIBER 32是一种MBE设备，用于生产薄的、高质量的半导体材料层，如III-V和II-VI化合物。32配备了热源和原子源材料，能够在从房间到超高真空的温度范围内生长层。RIBER 32由一个半闭合的超高真空（UHV）室组成，其中包含一个电子束蒸发器、一个filet加热器和几个电子显微镜。蒸发器用于蒸发固体源的材料，如固态源，而菲力加热器则用于将源材料加热到所需温度。电子显微镜是用来观察和分析层，因为他们成长。该系统设计为提供极高的真空水平（通常介于10-6和10-8 torr之间）、极其清洁的环境以及精确的温度控制和高度均匀的薄膜层。特高压室装有现场诊断系统（ESCA和XRD）和电容压力计，用于精确监测设备参数。32可以长出许多半导体材料的高品质薄膜，包括氮化物、氧化物、氮化物/氧化物和其他复杂合金。机器可以在室温到超高真空（UHV）的任何温度下操作。它能够提供高均匀度的薄膜厚度在整个生长区域和高均匀性能的沉积膜。此外，RIBER 32配备了原子束工具（ABS），使原子光滑表面的生长成为发光OLED和光波导等应用的理想选择。ABS捕获目标材料的分子，并将光束聚焦在基板上，以主动控制污染物的存在和生长条件。32的顶级性能和高可靠性使其成为许多半导体材料薄膜层生长的理想选择。它还提供了低成本和提高的生产率，使其成为现代电子产品薄膜研究和制造的关键工具。
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