二手 RIBER 49 #9383825 待售
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ID: 9383825
Molecular Beam Epitaxy (MBE) System
Growth chamber
Cryopanel
Platen manipulator
Motorized beam flux gauge
Inspection viewports and shutters
Bakeout assembly
Transfer gate valve
CT 10 Secondary pumping system
PF6 TITANIMUM Sublimation pumping system
Cold finger
Isolation gate valve
Secondary vacuum measurement system
Primary vacuum measurement system
Roughing system
Buffer chamber (Shuttle/Outgassing) equipment
Outgassing station: 400°C
Loading chamber equipment
Unloading chamber equipment
Residual gas analyzer, 1-200 amu
RHEED System, 12 KeV
Screen and shutter
Controller:
System control and network package
PC
FCA Parts
Sources:
(2) ABI 1000 Gallium effusion cells
ABI 1000 Indium effusion cell
(2) ABN 700 DF Aluminum effusion cells
VAC 6000 Arsenic valved cracker cell
(2) ABN 160 D Silicon dopant cells
ABN 160 D Beryllium dopant celll
KPC 1200 Phosphorus valved cracker cell
Phosphorus recovery assembly
(10) Source shutter assemblies
(6) CF200/CF150 Dismountable source cooling panels
CF200/CF150 Indium dismountable source cooling panel
(3) CF150/CF100 Dismountable source cooling panels
Accessories:
Pyrometer pneumatic
(5) Molybdenum platens, 3x4"
(5) Molybdenum platens, 5x3"
Molybdenum platen, 5x3" Plus, 2"
(5) Molybdenum platens, 6"
Ion pumping system
Cryopanel lifting beam
Adjustment tools for cell shutters
Modline 7 V Pyrometer
Non-contact Infrared thermometer
Gaskets
(2) Crucibles with spare kit for ABI 1000 cell (Ga)
(2) Inserts with spare kit for ABI 1000 cell (Ga)
Crucible for ABN 700 DF (Al).
分子束外延(MBE)是一种先进的薄膜生长技术,利用化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积(PVD)在晶圆表面上产生薄膜。RIBER 49是一台最先进的自动化MBE机器,旨在以经济高效的方式增长薄膜。49采用反射干扰增强(RIE)技术,在保持基板温度稳定的同时,将沉积速率最小化。RIBER 49提供多源功能,包括两个积液单元,一个射频(RF)等离子体源和一个质量分析离子束源。通过使用49的多源能力,可以生长广泛的化合物。RIBER 49还具有高达500 °C的基板加热和用于生长过程的集成真空系统。49的屏蔽能确保最佳的环境和电气安全,其真空室旨在消除空气污染并使样品污染保持在可接受的水平以下。RIBER 49还包括一个先进的实时过程监测系统,该系统提供实时反馈并能够灵活调整沉积参数。49配备了触摸屏界面,允许远程访问和数据分析,用于监控增长过程。RIBER 49在低基质温度下提供出色的晶体生长,提供了广泛晶体结构生长的可能性。多源能力和低操作温度允许广泛的材料如氧化物、氮化物和金属沉积,形成具有受控界面特性的异质结构。49是一个通用的MBE系统,使研究人员能够在各种底物上沉积性能最佳、均匀性高的薄膜。低底物温度和多源相容性允许不同晶体结构的生长,让研究人员深入了解纳米结构的性质。RIBER 49还提供了实时监控过程的能力,允许快速的过程优化。因此,49为研究人员寻求材料和设备研究的最新进展提供了有力的解决方桉。
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