二手 RIBER 49NT #9103304 待售

看起来这件物品已经卖了。检查下面的类似产品或与我们联系,我们经验丰富的团队将为您找到它。

製造商
RIBER
模型
49NT
ID: 9103304
优质的: 2000
MBE growth chamber, 4" 4" x 4" Multi-wafer 49NT Growth chamber: GaAs based MBE (3) Cryopanels: main, manipulator, pumping well Cell dividers Contains residual arsenide deposition inside Ports have been blanked off with CF blank flanges (4) Valved arsenic sources: (3) VAS2000 + (1) VAC2000 Ion pump: Riber, 900 L/s (bake-out shroud) Ion pump: Riber, 400 L/s Turbo pumping system: Alcatel Drytel 100 Turbo pump: Alcatel 5030CP 2000 vintage.
RIBER 49NT是为半导体材料和器件研发而设计的分子束外延(MBE)设备。它是一个分子水平的沉积系统,一次将一个原子沉积在基质表面上,形成结晶材料的薄层。该单元由沉积源、自动快门机和射频等离子体源组成。该工具有两个模块,包含两种不同类型的积液细胞,以同时沉积多个产物。主要成分由四个Knudsen电池(K-cells)组成,用于Ga和Al的顺序沉积,作为III-V基团半导体材料的构件。第二个模块包含两个Knudsen电池(C-cells),其中Te、Sb、In被沉积以形成II-IV型合金和合金。提供了一个自动射频快门设备,用于控制三-V和二-IV材料按任何所需顺序沉积的快门。高压射频等离子体源有助于降低基压,提高晶体质量。设备中内置了原位晶体生长监测模型。安装在腔室中的AFM用于监控晶体在符文中的生长,以便进行质量控制。该系统还允许在晶体生长过程中控制晶体取向(欧拉)。此外,封装还为样品的热、光、光和电特性提供了排气装置。该机设计用于超高真空,底压<5 x 10-11 Torr。工具的温度范围介于RT和1000˚C之间;一个超高真空加热器有助于达到1000˚C的温度。该资产还配备了用于在模块之间传输晶圆的机械臂。49NT用于需要开发和研究半导体材料和器件的各种行业。它是研发项目的重要工具,被认为是市场上最先进的MBE系统之一。
还没有评论