二手 VARIAN / VEECO GEN 200 #9093517 待售
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ID: 9093517
晶圆大小: 2" - 4"
MBE growth system, 2" - 4"
Cluster tool
Growth chamber
Loadlock
Prep / degas module
Storage module
Advanced cryo panel (~50% reduced liquid nitrogen consumption)
Spare cryo panel
Solid State Sources Layout:
(3) Gallium SUMO
(3) Aluminum (2 SUMO + 1 Conical)
(1) Nitrogen plasma source with turbo pump
(1) Arsenic valved cracker, MARK V
(1) Phosphorus valved cracker
(1) Indium SUMO
(1) Silicon
+ CBr 4-gas line
Growth chamber:
UHV ultra high vacuum chamber
Accepts up to 4x4”, 7x3”, 13x2” substrates
Advanced cryo panel (~50% reduced liquid nitrogen consumption)
Water cooled split-panel (ports area)
Pyrometer
Flux meter
RHEED 30kV
Quadruple mass spectrometer
Growth Chamber Pump System:
Ion pump (800 l/s)
Turbo Pump (830l/s)
Cryo Pump CT-10
Scroll-Pump
Titanium sublimation pump
Cluster Tool:
Cryo Pump
Quadruple mass spectrometer
Loadlock:
(8) Platens
Cryo Pump
Lamp Heating up to 120°C
Platens: 7 x 3", 14 x 2"
Does not require LN2 phase separator
Documentation available
Gas delivery line: Port 7
Gas dopant: CBr4
Materials (MBE grade):
Aluminium
Gallium
Indium
Silicon
CBr4
Arsenic
Phosphorous
Nitrogen
Substrates: GaAs.
VARIAN/VEECO GEN 200是用于制造半导体器件结构的分子束外延（MBE）设备。它是一个模块化、多区、低温系统，为高控制外延膜的精确沉积提供了大气控制的超高真空环境。该单元操纵并将热蒸发前体和掺杂剂源的原子束或分子束输送到基材晶片，根据沉积材料可以加热或冷却。这样就能够将材料高质量地沉积到原子或分子水平，而且杂质的意外掺入非常低。VEECO GEN 200机的主要部件是提供超高真空的分子束外延室，以及化学源和积液日。真空室利用两个独立的腔室；一个用于晶圆处理，一个用于晶圆沉积。源和积液日含有用于三元沉积、四元沉积和五元沉积的热源，并配有用于精确和精确沉积控制的百叶窗。每个源的多层旋转快门工具可确保所需的沉积条件。集成的电子加热器资产以及自动晶圆冷却模型可根据所沉积的材料对基板进行加热或冷却。VARIAN GEN 200设备具有强大的自动化软件,具有用于晶圆处理的手动/自动操作模式。它提供对每个MBE进程的精确控制,包括参数设置、记录和日志记录。软件工程允许个性化的配方、更高效的处理和更好的数据分析。它还可以与外部控制器连接,以实现晶片加载、热源、冷却、快门控制以及自动反馈和控制沉积速率等附加功能。GEN 200系统提供可靠、准确的沉积和设备制造过程。其超高真空气氛可确保外延膜的高度受控沉积，并能精确控制温度、最大沉积速率、沉积材料的均匀性和轮廓，以及杂质的最低无意掺入。该单元简化了分子束外延过程，使其成为最高效可靠的器件制造系统之一。
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