二手 VARIAN / VEECO GEN II #9243569 待售
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ID: 9243569
MBE System
Reactor: Horizontal
Single RHEED gun
Wafer transfer: Manual
Load lock
Monitoring equipment:
Ion gauges
Molly control unit
Gases: GaAs, InGaAs, AlGaAs
Dopants: Si, Be
Vacuum:
LL Cryo pump
LL Ion gauge
LL Degas station
BC IGP
BC Ion gauge
BC Substrate heater
GC IGP
GC Ion gauge
Gate valve Cryo - GC
Gate valve GC - BC
Gate valve BC - LL
Gate valve LL - Cryo2
Transfer rods
Sources:
(7) Shutters (With shutter motor rack)
Beam flux monitor
Electronic rack:
Ion gauge controller GC/BF
Ion gauge controller BC/LL
Controls:
Desktop computer
Communication unit
Removed parts:
All cells crackers
RHEED
RGA
Al / Ga / In / Si / Be Effusion cell
Electronic control units
EUROTHERM Control / Power supply units
CAR
Manipulator.
VARIAN/VEECO GEN II是一种分子束外延（MBE）设备，用于在基材上生产半导体材料的高品质、单层或多层晶膜。它采用超高真空（UHV）室，由三个积液池、一个电子束蒸发器、一个气体注入系统、一个基板溅射枪、一个束成形单元、一个石英晶体监控器和一个负载锁等组件组成。积液细胞用于将底物提升到所需生长温度，并在生长过程中将其保持在恒定温度。电子束蒸发器用于蒸发原料并将其输送到基板上所需的区域。气体注入机用于将气体注入室内，影响材料的生长特性。基板溅射枪用于生长前清洁基板，也用于在基板上沉积一层薄薄的材料。梁成形工具用于控制梁的轮廓。石英晶体监测器用于测量沉积晶体膜的厚度。负载锁用于在保持特高压完好无损的同时将晶片送入和送出腔室。VEECO GEN II MBE资产能够在受控环境下生产高品质、单层或多层晶体膜，并能维持低至5 x 10-10 mbar的压力。该模型还配备了人性化软件，可以方便操作，精确控制基板温度、气流、梁参数等生长参数。该软件允许自动化增长程序，以最大限度地提高流程效率和准确性。总体而言，VARIAN GEN II MBE系统是生产用于各种电子和光电应用的高质量、单层或多层晶体薄膜的绝佳选择。其先进的控制机制和精确的生长参数确保了精确和一致的结果。凭借其用户友好的软件和自动化的增长计划功能,它易于使用并高效地创建所需的结果。
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