二手 VARIAN / VEECO GEN III #9239247 待售

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ID: 9239247
晶圆大小: 4"
MBE System, 4" Substrate temperature: 1000⁰C Materials used: Gallium Indium Aluminum Silicon Beryllium Arsenic Phosphorus (12) Shutter ports Aluminum sumo source Gallium or Indium sumo source Valved cracking effusion cell (2) 5cc Dopants (3) Gallium or Indium sumo sources Vacuum reading: Expect vacuum level: -10’s to 9e-11 torr range Substrates used: Silicon Gallium Arsenic Indium Phosphorus.
VARIAN/VEECO GEN III是一种先进的分子束外延(MBE)系统,用来将薄半导体膜沉积在各种底物上。它由四个相互连接的腔室组成,配置为执行低温同外延生长、氧化物和氮化物,以及其他先进的外延过程。第一室容纳一个多调试器源。它配备了多达六个单独隔离的水平或调试资源,以防止其他材料污染基板。多源可以在电流、功率和频率上变化,以适应所需的沉积过程。该室还配备了电子束快门、隔热罩、肖特基抑制器等必要的源配件。第二个腔室包含基板支架,是一个垂直旋转组件,最多可容纳四个基板。它还装有一个负载锁,样品可以加热到-100 °C至800 °C的温度,以便进行先进的生长过程。两个带快门的操纵器和一个主快门用于保护基板,而调平器确保均匀的基板加热。第三室为生长室,配有加热灯丝、八个气体喷射器和一条冷冻线。灯丝的设计目的是为300至900°C的生长温度提供必要的能量。气体喷射器连接到气体面板,用于将源气体和掺杂气体输送到生长室。冷冻泵送管线用于通过抽出残留气体来维持低背景压力。第四个腔室是结果腔室,所得到的薄膜是特征的。该室配有用于物种鉴定的四极质谱仪(QSMS)和用于成分分析的残留气体分析仪(RGA)。它还包括一个自动样品转运站,用于在一个单独的光显微镜室内检查晶片。VEECO GEN III是为运筹学目的而设计的先进MBE系统。它的多个腔室、最先进的组件,以及先进的增长过程的可用性,使该系统成为高通量沉积和过程开发的理想之选。
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