二手 VG SEMICON / OXFORD V80 #9226450 待售

ID: 9226450
晶圆大小: 3"
MBE System, 3" Ion pump Furnaces (2) Chambers: GaAs Work Arsenic cracker Phosphorous cracker Gallium Aluminum Indium & Silicon Bake-out panels & heaters 8-Port LN2 Piping Does not include vacuum barrier phase separator G Chamber: Materials: As, P, Be, In, In, Al, Ga, Si Ion pump Diffusion pump V Chamber: Materials: Si, As, Cr, Ga, Al, In, Ga, Be Ion pump Prep chamber: Vac-sorbs Ion pump RHEED Guns GaAs Substrates GaAs Wafers: 650°C (Max temperature) GaAs Growth temperature: 500°C - 650°C RHEED Gun power supply Sumo cell, 300 CC Bake out panels with heaters Spare parts Manuals.
VG SEMICON/OXFORD V80是一种分子束外延(MBE)设备,设计用于设备和电子元件的高质量、低温研究级制备。MBE系统提供了广泛的功能,使研究人员能够充分利用其研究成果。它包括了使其与其他MBE系统脱颖而出的几个特点,如先进的多级压力控制单元、独特的长距离大于单位网(GNET)观景单元、陶瓷船炉以及全套高性能石英组件。OXFORD V80的独特能力之一是其先进的多级压力控制机。该工具能够准确控制MBE室的压力和温度。它提供了对过程的高度控制。此外,资产的设计是为了稳定,确保整个沉积过程中所需的条件保持一致。VG SEMICON V80的另一个独特特点是其独特的长距离大于单位网(GNET)视图单元。这个细胞使用先进的成像模型来监测腔内基板的生长。它还允许精确控制沉积速率和组成。电池具有大于1的光学视图,可实现更好的分辨率而不会失真。V80还包括一个陶瓷船用炉。该炉能够在高达1000°C的温度下运行,并提供均匀的加热和一致的性能。可用于MBE沉积前后熔化样品,在整个腔室内提供均匀加热。该炉还具有用于样品回收的冷却循环,使研究人员能够快速重置MBE室进行另一次沉积。最后,VG SEMICON/OXFORD V80配备了全套高性能石英部件。这些部件被安装在不锈钢真空室中,并提供防止污染的保护。这样可确保产生干净、无污染的样品,并有助于限制因沉积而损坏样品的任何风险。综上所述,OXFORD V80是一种先进的高质量MBE设备,具有广泛的特性和功能,使其成为希望获得最高质量和最精确沉积结果的研究人员的理想选择。VG SEMICON V80从其先进的多级压力和温度控制系统,到其独特的远距离大于一的净视图单元,再到其陶瓷船用炉和全套高性能石英部件,都覆盖了所有的基座,以确保获得最佳的效果和最大的效率。
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