二手 HEISE C #9008204 待售

HEISE C是由HEISE Corporation创建的自动化晶圆处理设备。该系统旨在提供高精度处理和低拥有成本。该装置能够加工直径达十二英寸的晶片。它具有很高的精度和精确度，能够实现可重复的3微米特征大小。适用于细纹蚀刻、精密微电子器件制造等工艺.C是一种紧凑且可运输的机器,具有低调的特点,允许在现有生产线环境中以最小的中断程度轻松集成和实施。它具有坚固、阳极氧化铝的上部外壳和顶面的耐腐蚀外壳。刀具的核心是高精度、双轴旋转定位台。这样可以使晶片的旋转和对准保持一致和准确。该表由低噪声、高扭矩的无刷伺服电机驱动。资产还包括两个独立的下级处理步骤。其中第一个是湿蚀刻加工站。这样可以实现精确且可重复的碱性蚀刻工艺。它还能够使用反应性离子进行干蚀刻过程。第二个处理步骤是钝化层应用站。该站能够应用高性能、耐低温的保护硅薄膜和网络。HEISE C还包括多种外围特性和选项，如裸露晶片表面的保护罩、优化的基板和工艺流体管理模型，以及闭环工艺控制设备。最后,C在紧凑且经济高效的软件包中提供了高水平的性能和精确度。它专为研究和生产应用而设计,是当今不断增长的晶圆加工设备需求的理想解决方桉。