二手 AGS MPS-150-RIE #9078689 待售
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ID: 9078689
Advanced plasma system
For Reactive Ion and Plasma Etching (RIE / PE)
MPS-150 Base module:
Assy, console, MPS-150
Assy, chamber, MPS-150
Assy, power distribution, MP-TCU
Assy, interlocks, RIO
Assy, harness, RIO/RS232
Assy, facilities, CLP08
Assy, controller, APC2014-PPLC
Configuration options for RIE:
Assy, electrode, RIE-150
Assy, plasma source, RF120w
Assy, vacuum, ISO63, 1CG
Assy, pressure control, 1T
Assy, dry pump, 8cfm-plasma
Assy, gas deck, 5-Channel
Assy, heater jacket, wall
Mass flow controller options:
Assy, MFC, standard
Assy, MFC, toxic
Other options:
Upgrade, plasma source: RF300w
Upgrade, pump, dry: 70cfm-Plasma
Turbo package? 70lps-Plasma
Turbo package: 250lps-Plasma
Turbo package: 300lps-MagLev
Ion gauge KF
Temperature controller: 10-35C
Temperature controller: 10-60C
Electrical: 208 VAC, 30 Amp, 50/60 Hz, 4 Wire, 5 Pin IEC
Compressed air and nitrogen: 80-100 PSI, 1 CFM, 1/4” QC
Process gas: 15 PSI, UHP, 100 sccm, 1/4” male VCR
Exhaust: 50 CFM, <0.5 mmHg, KF40
Cooling water: 30-60 PSI, 1-2 GPM, 3/8” QC.
AGS MPS-150-RIE是一种高质量的研究和工业电子回旋共振（ECR）等离子体蚀刻设备，旨在满足当今研究和工业应用的需要。该模型特别适用于需要高质量和高精度的薄膜蚀刻和沉积工艺，如半导体加工、MEMS和PDT。MPS-150-RIE具有各种特点，使其适合现代研究和工业应用。等离子体是使用高温ECR源产生的，这是在精确功率条件下控制过程的非常高效和非常精确的工具。此外，ECR源可以在各种快门模式下操作，如脉冲和爆裂模式，从而能够精确控制蚀刻过程和精确控制沉积厚度。ECR源还能够向表面提供各种工艺参数所需的离子,从而允许在基板表面上均匀分布。通量控制系统利用了12个独立的气体通道，并配备了高度自动化的气体搅拌机，便于控制工艺室内的气体浓度。该机组还配备了温度和压力测量系统，以确保最佳操作条件。除了其高精度ECR源外，AGS MPS-150-RIE还配备了种类繁多的外围设备，以进一步增强其能力。这种外围设备包括精密的过程监控工具、先进的等离子体特性测量工具，以及负载锁和机器人等一系列真空处理设备。该机结构坚固可靠，能够处理各种工艺参数。等离子体约束工具确保等离子体均匀分布在整个腔室，以确保均匀蚀刻。蚀刻资产还配备了自动端点检测模型，使设备能够在预定点停止该过程，确保可重复的蚀刻结果。MPS-150-RIE具有高精度的ECR源、可靠可靠的设计和广泛的外围设备,是研究和工业应用的理想设备。此模型提供了允许用户以卓越的生产效率和准确性生成统一且可重复的流程的功能和性能。
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