二手 AIXTRON 200/4 RF-S #197865 待售
看起来这件物品已经卖了。检查下面的类似产品或与我们联系,我们经验丰富的团队将为您找到它。
单击可缩放
已售出
ID: 197865
晶圆大小: 2"
MOCVD / GaN System, 2" single-wafer
1 x 2-inch wafer configuration in horizontal-flow reactor cell
Reactor cell integrated with M.Braun inert-atmosphere glovebox
Inductive heating to 1200°C with Huttinger power supply
Luxtron pyrometer for process temperature control
Filmetrics white-light reflectometer for in situ monitoring, with dedicated PC
Leybold D65BCS main pump
Five MO lines, including one configured for dopant dilution
Space allowance for three additional MO lines
MOs used TMGa, TMIn, TMAl, Cp2Mg, ditertiarybutylsilane
Hydride lines for ammonia, dilute silane, plus one spare
Johnson Matthey Pd-diffusion cell for hydrogen purification
SAES heated getter column for nitrogen purification
Full PC and PLC control using Aixtron CACE v2.2 software
Includes Aixtron wet-column exhaust scrubber
Used for ca 550 growth runs only
Offered with manuals and spares
Gas cabinets and control panels can be included in purchase
Currently powered down in cleanroom
2000 vintage.
AIXTRON 200/4 RF-S是使用射频溅射和蒸发技术进行表面处理应用的反应堆。反应堆是具有等离子体气流特征的四目标等离子体增强沉积设备。它旨在提供均匀、可重复和高效的沉积过程。反应堆由四个源组成，每个源由阴极、阳极和射频发生器组成。阴极是为提供理想表面沉积而设计的各种材料的溅射目标。阳极放置在阴极的中心，以聚焦射频发生器产生的能量。射频发生器有助于在腔室中产生等离子体，以便有效地从所需的目标表面溅射材料。在操作中，射频发生器在目标附近产生一个电场，导致等离子体气体电离并向目标表面加速。这样就形成了一个均匀的等离子束来溅射目标材料。溅射材料随后受到室内受控大气的影响，并发生受控反应，产生所需的表面沉积。该系统还提供对所应用的射频功率密度和气体流量的独立控制，从而对沉积过程进行精确控制。该装置配备了一个自动温度和压力控制功能，可以不断保持室内所需的温度和压力，以便进行一致的优化沉积。AIXTRON 200/4 RF-S还具有提供预测性维护和错误检测功能的高级诊断和自动安全协议。通过先进的诊断，该机能够及早发现问题，确保沉积过程的精确控制，减少设备故障造成的停机时间。总体而言，AIXTRON 200/4 RF-S是一种坚固可靠的溅射和蒸发工具，适用于各种表面处理应用。其集成的气流特性、温度/压力控制和先进的诊断技术使其成为加工各种材料优化沉积性能的理想选择。
还没有评论