二手 AIXTRON 200 #146468 待售
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ID: 146468
晶圆大小: 2"
优质的: 1989
MOCVD Mixed bed reactor, 2"
Configured for (3) 2" wafers
Process: GaN
Metal organic gas bubblers included
Set up to run nitrides
1989 vintage.
AIXTRON 200是一种现代的化学气相沉积(CVD)反应器,设计用于生长无机(非金属)和有机材料的薄膜和涂层。它能够生长从几个原子层厚到大于几微米的薄膜,这取决于材料和工艺。该反应器具有两个自上而下的垂直炉,具有大的加工室,从而使厚膜原位生长,在大基板上具有良好的均匀性、厚度和台阶覆盖率。200由沉积室和负载锁支撑模块两个主要部件组成。该室具有独立的加热、冷却、排气和装卸能力,并配有机械臂和机械臂。可自定义腔室容量,以容纳200 mm以下的多种基板尺寸。它的设计采用了模块化概念,使工具易于升级,并有可能在今后引入新的工艺气体和交替的预溅射工艺。沉积室具有两个带有多个射频源臂的平面射频电感,在ALD、等离子体增强型ALD等过程中,能够显着增加室内的反应性气体控制。和PECVD.自上而下的双室室设计和工艺方式,如Doherty蚀刻、晶体生长、快速热处理和涂层,确保了薄膜生长或涂层的出色均匀性和可重复性。沉积室装有带电粒子枪,配有可调直流电源。这种枪非常适合具有固有负电荷的材料,如多晶硅、poly-SiGe和poly-III-V化合物。AIXTRON 200还配备了锁载光发射设备、视频检测系统、气流控制、原位椭圆偏振和石英晶体微平衡等多种工艺检测和控制选项。负载锁定支持模块包括一个计算机控制的晶片传输系统、真空和压力泵、一个计算机控制的气体消减装置,使反应堆具备处理有害气体的能力,以及一个射频蚀刻机。所有组件均符合ATEX认证和UVCE认证。该反应堆能够运行多种沉积过程,如MOCVD、ALD、PECVD和快速热处理。具有高水平的工艺控制和薄膜的均匀性,200适用于制造包括薄膜太阳能电池、LED、晶体管、薄膜电池在内的各种薄膜器件,以及用于先进MEMS器件的超薄门堆栈结构。
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