二手 AIXTRON 2000 HT #9093575 待售
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已售出
ID: 9093575
优质的: 2005
MOCVD System
Nitride (GaN)
Controller
Planetary reactor
Gas foil rotation
RF Cooling wafers
Glove box
PC Controller: DELL Poweredge 1750
Reactor temperature gauge: EUROTHERM
Reactor pressure gauge: MKS 600 Controller
Pressure balancing gauge: EUROTHERM
Temperature control system: LUXTRON 100C Optical fiber
Main system
With (8) PLC systems
HUTTINGER Generator
UN2000 A WHG Scrubber
AFFINITY ED17 CAM 2P
Pump cabinet
BUSCH Dry pump
(2) Scroll pumps
Gases: N2, H2, SiH4, HCL and NH3
MO Baths
LUDA-S RM6
(4) NESLAB RTE-111
Gas box with Amonia, N2, N2 Purifier
MO: TMGa, TMAI, TEGa, TMin
Chiller missing
2005 vintage.
AIXTRON 2000 HT是为高温沉积过程如MOCVD（金属-有机化学气相沉积）而设计的化学反应器设备。这一高通量系统配备了一个反应室，该反应室具有六个对角线的平板磁感器和一个集成的机器人基板定位单元。反应室由热壁加热器机控制温度，底物温度可通过充气喷射调节。该工具有大量的入口和出口，以确保在沉积过程中连续的气体溷合，以及针对可能的压力变化的鲁棒性。2000 HT能够在高达1000 °C的温度范围内运行。AIXTRON 2000 HT还利用一个6英寸的石英视口，能够从反应室中查看沉积过程。它可以通过精密的控制资产来监测和优化气流、温度、压力等工艺参数。其远程编程功能还确保了对流程的精确控制。集成的干蚀刻模型进一步促进了膜厚度的原位控制。2000 HT的设计目的是以高通量和最低的热预算加快材料沉积过程。适用于单层和多层沉积。该设备能够生产复杂三维形状的高质量薄膜涂层，并具有精确的层控制能力。通过利用高温沉积技术，AIXTRON 2000 HT为制造膜和半导体器件，如GaAs或基于GaN的LED和激光二极管提供了一种经济的制造解决方桉。该系统既可用于批量生产，也可用于连续生产，便于操作和维护。
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