二手 AIXTRON 2400G3 HT #9292253 待售
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ID: 9292253
优质的: 2004
MOCVD System
Equipped with (4) single thermal baths and (1) double
GaN, 11x2"
Hydride source configuration: NH3-1, NH3-2, SiH4-1, HCl
MO Source configuration: TMGa-1, TEGa-1, TEGa-2, TMAl-1, Cp2Mg-1, TMIn-1, TMIn-2
Spare parts included
2004 vintage.
AIXTRON 2400G3 HT是为晶体生长应用而设计的水平配置沉积反应器。该反应堆利用射频等离子体为化学气相沉积(CVD)过程创造低压环境。这意味着沉积反应的原料以气态蒸气的形式通过受控的流动注入过程输送到腔室。射频等离子体是由位于反应堆腔室内部和外部的电极产生的。这种射频等离子体用于使气态源材料电离,从而为所需材料的最佳生长创造条件。AIXTRON 2400 G3-HT融合了先进的工艺控制和温度控制技术,允许用户精确控制沉积参数和工艺条件。反应堆的温度控制可以设置到最高900°C,这取决于正在生长的材料。反应堆配备了AIXTRON专利的快速扫描能力,允许用户精确校准工艺参数,优化生长过程。2400 G3 HT是单晶片反应器,具有标准的层上(LOL),最大晶片尺寸为12英寸。反应物气体通过反应堆室顶部的两个开环注入沉积区,然后由一组挡板均匀分布。2400 G3-HT体积大,吞吐量大,在整个增长过程中保持一致和均匀的薄膜沉积。除了特殊的技术特性外,2400G3 HT还有几个额外的安全特性。它带有一层过温控制系统,旨在通过防止沉积膜材料的任何聚结来防止基板受到污染。此外,AIXTRON 2400 G3 HT在反应堆室内装有惰性气体气氛,进一步防止形成任何不需要的沉积物。总而言之,AIXTRON 2400G3 HT是一种非常先进的沉积反应器,非常适合生长晶体。它提供了最佳的温度和压力控制,并具有多种安全功能,可帮助用户在不影响基板的情况下实现所需的结果。AIXTRON 2400 G3-HT是生产高纯度晶体的理想选择,具有优良的均匀性和结构完整性。
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