二手 AIXTRON AIX 200/4 #9065747 待售
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ID: 9065747
MOCVD System
For LED or Optical devices: 2", 3", 4"
Average Throughput: up to 2,700 wafers per year
Wafer Capacity:
1 x 4"
1 x 3"
1 x 2"
Applications:
Ⅲ-Ⅴ Compounds
Ⅱ-Ⅵ Compounds
Oxides
Facility Requirements:
Power Supply:
3/N/PE/60Hz*/200V/AC/*+-5% or
3/N/OE/50Hz*/400V/AC/+-5%
Max. power consumption: ~20 kVA
Gas Supply:
N2 6.0 H2 Pd-Diffused
AsH3 100%
PH3 100%, SiH4 100%,
P inlet each 3-3.5 bar
Forming Gas 5% - 10% H2 in N2
Pneumatic: N2 techn. 7-8.5 bar
Cabinet Ventilation:
2 x 1000m3/h
Wafer cooling:
Total Flow 4l/min at Tinlet < 25℃
< 6 bar
Differential Pressure < 4 bar
Currently warehoused
1998 vintage.
AIXTRON AIX 200/4是一种设计用于薄膜材料和纳米材料沉积的低压（LP）金属有机化学气相沉积（MOCVD）反应器。AIX 200/4是一款商用MOCVD工具，多年来一直用于演示纳米线生长、纳米晶体生长和许多薄膜沉积。该反应堆在温度和压力控制方面具有很大的多功能性，并已被用于使沉积在许多不同的底物上。AIX 200/4反应器包括一个石英反应管，在那里薄膜的生长发生，以及一个单独的前体注入设备和一个感应耦合等离子体（ICP）源。石英管是发生沉积的地方，被加热到生长所需的温度。前体注入系统供应反应物，并作为气体输送装置。气体流经流量计，流量计提供精确数量的每种气体，通常以稳态存在于反应管中。ICP源接着被用来产生高密度的等离子体来激发反应物种类，允许纳米结构或薄膜的生长。AIX 200/4还包括温度控制选项，包括石英反应管的直接加热，允许温度控制~ 500 °C。这使得一系列半导体和金属氧化物得以生长。AIX 200/4还具有压力控制能力，可用于控制反应管内的大气。这样可以在不同的大气条件下沉积，如低真空和高真空或超高真空。AIX 200/4工具是一种多功能、坚固的MOCVD沉积机,能够生产高质量的薄膜和纳米材料。它是一个广泛应用的好工具，可用于优化薄膜器件的沉积条件。它也可用于研究物质生长机制，获得对等离子体物理的洞察力。
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