二手 AIXTRON AIX 200 #148651 待售
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ID: 148651
晶圆大小: 2"
LP-MOCVD system, 2"
For sophisticated heterostructures such as:
GaAs, InP, GaInAS, GaInAsP laser and multi quantum well structures
Single chamber: 2 x 2"
High purity gas blending system: tubing and components electropolished
MFC and electronic pressure regulators response time: 1.5 second
Temperature control for MO sources: better than 0.05°C
Susceptor for (2) 2" wafers
Uniform substrate temperature: maximum deviation 0.4°C / cm (1°C / inch)
Heating and cooling times: 10 minutes
Low pressure option: rotary pump with Fomblin oil and chemical oil filter
Switching time: 0.1 second
Process control: step programmable, 0.1 second increments
Gas velocities in the growth area: maximum 5 m/s (200 inch / s)
Total flow rate: standard up to 20 lpm
Process times for high output: 8 runs per 8 hour day possible
32 bit computer with floppy and hard disks
Safety interlock system operating even at computer down times
Glovebox.
AIXTRON AIX 200是由德国半导体沉积设备制造商AIXTRON SE开发的高度先进、用途广泛的反应堆。它是一种双区域、高性能、自动化的分子束外延（MBE）设备，专门设计用于将化合物沉积到基板上，以生产出质量最高的半导体器件。AIX 200可以提供Open@@-Atmosphere MBE（OAMBE）或Ultra@@-High Vacuum（UHV）MBE。它支持广泛的真空沉积过程，如蒸发、溅射和化学气相沉积（CVD）。AIXTRON AIX 200还支持水平和垂直沉积模式，使各种材料得以沉积，包括III-V、II-VI和各种其他化合物。AIX 200配备AI XTEC气体控制系统，提供卓越的气体控制、真空控制，并提供更大范围的气体输送选项，最大气体流量300 sccm，可调细流量0.1 sccm以下。AIXTEC提供对超高压和OAMBE模式下压力水平的精确控制。此外，AIXTRON AIX 200还有一个高效的热管理单元，使温度设置能够以高精度和准确度进行操纵。这是通过AIX 200先进的原位粉末设定点保留和分配单元完成的,该单元可确保所有基材和组件在大面积上保持一致。AIXTRON AIX 200还配备了一个可调参数单元，其中进气压力、气体RMS流量、沉积温度、监测系统、沉积时间等参数都可以调节。AIX 200具有极好的精度和精确度,因为它能够长时间产生可重复的沉积结果,并能够调整沉积速率和厚度。其钢丝网加热机进一步提高了沉积精度和精度。此外,AIXTRON AIX 200还具有运动学安装架,可确保保持所有倾斜、方位角和旋转参数,以获得准确和可重复的沉积结果。总体而言,AIX 200是半导体制造的绝佳选择,提供卓越的性能、可重复的结果以及顶级气体控制和沉积精度。AIXTRON AIX 200具有高效可靠的热管理工具和可调参数单元，是制造高质量、高精度半导体元件的绝佳选择。
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