二手 AIXTRON AIX 2600 G3 HT #293596198 待售
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已售出
ID: 293596198
优质的: 2006
MOCVD System
III-N Process
Planetary reactor
With (8) satellites, 1" x 4" / 3" x 2"
Up to 8" x 4" / 24" x 2"
Maximum process temperature: 1200°C
(8) MO Sources
(6) Standards
(2) Diluted
TMGa
TEGa
TMAl
(2) TMIn
Cp2Mg
NH3, Single line
(2) MFCs
SiH4, 2-lines
H2 Purifier
Palladium diffusion cell
N2 and NH3 Purifier
MBRAUN Glovebox
EBARA Dry process pump
HUTTINGER RF Generator
Reactor ceiling
With viewport
LAYTEC Epicurve Reflectometry / Pyrometry / In-situ bow measurement
LAUDA Baths for MO sources
Spare parts included:
Pneumatic valves with ¼" VCR fittings
Mass flow controllers (Yellow sleeve)
Exhaust system components, DN25 and DN40 flanges
(2) ¼" Piping
Manual valves
Pressure transducers for H2/N2/NH3 inlet
Purge units for toxic/flammable gases
MFC Electrical connectors
MFC Interfaces
Exhaust system components
Electronic valves
MKS Baratron
Hydrogen purifier
Nitrogen and ammonia purifiers
Glovebox filter unit
Reactor components:
Graphite satellites
Cover segments
Quartz parts
2006 vintage.
AIXTRON AIX 2600 G3 HT是一种最先进的高通量金属有机化学气相沉积（MOCVD）反应堆。它配备了低压、高输出发电机，为厚、复杂、均匀的薄膜涂层创造了较高的沉积速率，具有良好的台阶覆盖率。利用独特的Inverted-L几何图形，将基板置于半导体薄膜生长路径中的直线。AIX 2600 G3 HT利用AIXTRON卓越的MOCVD，这是大规模生产III-V类复合半导体材料和器件的主要薄膜沉积技术。该反应器通过增加气体入口的位置和改进沉积参数的控制，提供了薄膜的高均匀性和重复性，同时确保了高度均匀和低成本的外延增长。一般的过程是在Inverted-L反应堆装上一个或多晶片盒式磁带时开始的。半自动加载/卸载系统确保清洁和不间断的基板更换过程。氢气如H2、N2或Ar，必要时使基板被板载频率控制微波系统加热至1100 °C，同时允许温度场的最大均匀性。反应堆另外配有气泡和气体分销商。气源分子束外延系统（GSMBE）的应用是实现最终沉积层沉积均匀性和可重复性的关键。GSMBE创造了均匀的胶片增长和出色的阶梯覆盖，同时允许使用适当的前体。此外,还可以添加缓冲层、接触层、活动层和钝化层等层,以构建所需的设备体系结构。作为最终产品,AIXTRON AIX 2600 G3 HT提供了由专用外延层和金属触点组成的完全集成的高性能微电子器件。这种高度先进的反应堆是生产多达200毫米基于GaAs的光电、高功率和高频微波设备的完美工具。它允许较高的沉积速度和较短的工艺时间满足半导体工业的生产需求。
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