二手 AIXTRON AIX 2800 G4 #9412483 待售

製造商
AIXTRON
模型
AIX 2800 G4
ID: 9412483
晶圆大小: 4"
优质的: 2010
MOCVD System, 4" GaN Process Epitaxy reactor 2010 vintage.
AIXTRON AIX 2800 G4是为各种薄膜应用而设计的高功率多功能超短脉冲脉冲沉积反应器。AIXTRON AIX2800G4配备了先进的技术和组件,能够在各种条件下快速沉积薄膜材料,提供强烈的脉冲能量和快速的重复率。AIX 2800G4具有在短脉冲模式和介电常数模式下运行的能力,并且可以针对各种基板尺寸和几何形状进行配置。AIX 2800 G4拥有高功率微波发电机,具有可切换的400 kW峰值功率,脉冲持续时间为1-20微秒,重复率高达30 kHz。高温加热元件可使基板达到高达1100 °C的峰值温度。这种高温对于获得最佳薄膜厚度和均匀性很重要。AIX2800G4提供了广泛的过程控制功能,例如压力和温度控制、通量控制和开环控制。反应堆内置了补偿环境压力和基板温度变化引起的像差的系统。AIXTRON AIX 2800 G 4还有一个内置的反馈系统,以保证基板温度和脉冲沉积过程中的压力稳定性。AIXTRON AIX 2800G4有两个主要的加工室。每个腔室都配有两个平面天线,以实现层移、等离子体蚀刻、RIE蚀刻、沉积和薄膜图桉等过程。基板支架的设计可以容纳各种各样的基板尺寸和几何形状。AIX 2800 G4还提供具有用户友好导航和实时过程控制功能的车载计算机。反应堆可以通过安装在控制系统上的软件包进行远程操作,该软件包允许自动控制和运行过程循环。此外,它还支持具有图像处理功能的数据采集系统。AIXTRON AIX 2800 G4包括夹紧和运输系统、气体入口、气体采样管、泄漏管线等附件。AIXTRON AIX2800G4能够以各种构型和条件运行,非常适合原子层沉积(ALD)、金属有机化学气相沉积(MOCVD)和物理气相沉积(PVD)等过程。
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