二手 AIXTRON AIX G10 SiC #293829804 待售
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ID: 293829804
晶圆大小: 6"
CVD System, 6"
PC Control system:
MES Interface
SECS II/GEM
MOVPE System
Router
Gas handling system:
MO-G1 Standard metalorganic channel
LOTO Valves for bubbler
GMS Cabinet external
MO-G2 Standard gas channel with pusher, HCL
MO-G4 Cascade with (3) Inject MFCs, C2H4
MO-G4 Cascade with (2) Inject MFCs, N2
MO-G2 Cascade with pusher, SiH₄
(2) MO-Differential run/vent pressure balancing's, MO, R/V Center
(2) MO-G3 Cascade double outlets, TMAI
(3) Carrier gas channel for balancing gas flow switching:
R/V Center
R/V Bottom
R/V MO
Process control:
EpiCurve TT AR 3W, 1800°C
Top Temperature Controller (TTC)
Autosat
Gas purification:
Spare provision for standard purifier: HCl, C2H4
(2) Single port hygrometer, valve and housings: H2, Ar
Ar limiter
Extension:
Vacuum tweezer for glovebox for handling wafer
Ar blower gun (PM)
Automation:
Cassette to cassette wafer handler
High temperature operation: 600°C
Ring Buffer Module (RBM)
Wafer cover ring
Cassette rings: 150 mm.
AIXTRON AIX G10 SiC是为碳化硅（SiC）材料外延生长而设计的一种尖端化学气相沉积（CVD）反应器。作为一家专门生产半导体设备的世界领先技术公司，AIXTRON开发了AIX G10 SiC反应堆，以满足电力电子、电信、汽车应用等领域对高品质SiC材料不断增长的需求。AIXTRON AIX G10 SiC反应器针对SiC外延层沉积在基板上进行了专门优化，使得能够生产功率二极管、晶体管、传感器等高性能SiC器件。与传统的半导体材料（如硅）相比,SiC具有多种优势,包括更高的击穿电压、导热系数和耐温性,使其非常适合需要高功率和高频性能的应用。AIX G 10 SiC反应器采用水平暖壁CVD室配置，以确保SiC层均匀沉积在直径不超过6英寸的基板上。反应堆设计融合了先进的温度控制和气流管理系统，以实现对生长过程的精确控制，从而产生高度可重现和高质量的外延层。该反应器具有一个高温反应器室，能够达到2000摄氏度的温度，这是沉积具有优良晶体质量和低缺陷密度的SiC外延层所必需的。反应堆配有先进的气体输送系统，可精确地将硅烷（SiH4）和甲烷（CH4）等前体气体引入燃烧室，从而使SiC层具有可自定义的掺杂剖面的受控生长。除了先进的工艺控制能力外，AIXTRON AIX G10 SiC反应堆设计方便操作和维护，具有用户友好界面，允许操作员实时监控和调整工艺参数。反应堆还配备了安全功能，以确保操作过程中对操作员和环境的保护。AIX G 10 SiC反应堆适合研究和工业生产设施，希望制造性能优异的SiC器件。反应堆的可扩展性和灵活性使其成为优化增长过程和开发新材料配置以满足半导体行业不断变化的需求的理想平台。总体而言，AIXTRON AIX G 10 SiC反应堆代表了SiC材料外延生长的最新解决方桉，为生产先进的SiC基器件提供了无与伦比的性能、可靠性和工艺控制。凭借其创新的设计和先进的能力，AIX G 10 SiC反应堆准备推动下一代电力电子和半导体技术的发展。
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