二手 AIXTRON Crius 30 X 2" #9032566 待售
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ID: 9032566
优质的: 2007
CCS/IC MOCVD GaN system
Electrical cabinet
Gas mixing cabinet
Reactor cabinet
Glove box cabinet
Heater power supply unit
Heat exchanger
Vacuum system
Temperature range: Storage: 10º-50º C; During condition: 15º-25º C
Relative humidity: Storage: 30-80%; 45-80%
Voltage: 400 V +/- 5% (3/N/PE); 208 V +/- 5% (3/N/PE)
Frequency: 50 Hz +/- 1% for 400 V; 60 Hz +/- 1% 208 V
Power consumption: Approx. 28 kVA for system; approx. 110 kVA for power supply, cabinet
Max power consumption: 110 kVA
Gas mixing cabinet/electrical cabinet: 2 ventilation ducts, ∅250mm
=> 750 m3/h each
Process gases:
Type of gas: e.g. NH3, HCl
Purity: ≥ 5.0 N (free of condensate)
Inlet pressure range: 3, 3.5 bar
Pneumatic supply:
Quality: Clean, dry 5 um filtered
Pressure: 5,7 bar
Temperature: Approx. 20º C
Cooling water:
Inlet temperature: 17-25º C
Temperature stability: +/- 1º C
Inlet pressure (max): 6.5 bar
Outlet pressure (max): 2.5 bar
Pressure difference inlet/out: > 4 bar
Minimum total flow: 50 l/min
RF generator board is nonfunctional
2007 vintage.
AIXTRON Crius 30 X 2是一种双板等离子体增强化学气相沉积（PECVD）反应器。它用于将高质量的薄膜，如氧化物和氮化物沉积到包括硅、金属、电介质和聚合物在内的多种基材上。与单板PECVD系统相比，它的两种板材设计使得更大的直径和面积的基板能够得到处理。Crius 30 X 2有一个30厘米的加工室，设计用于薄膜的均匀、受控沉积，采用等离子体增强的CVD和计算机控制的过程变量如压力、底物温度和气流。它还具有可调的工作室均匀性区，允许用户在基板的特定区域上分配他们的工艺条件。PECVD工艺由一台获得专利的1.8 kW射频（RF）发电机提供动力，该发电机的工作频率为13.56 MHz。它旨在为平板电极和基板偏置提供可调谐的射频功率。该系统允许每台高达100瓦的RF功率。该机器包括一个先进的软件和控制系统，它提供了简单的用户界面，增强的过程控制，和自动化的质量监控。Crius 30 X 2上的沉积速率可在0.1至10微米/分钟之间调节。沉积速率取决于底物的类型和所使用的气体。最高温度限制在350 °C，但对于某些基板可以较低。此外，PECVD工艺还可用于沉积多组分、多层、重现性好的薄膜。Crius 30 X 2还具有很高的可靠性,因为它采用精确对准销连接的结构部件进行设计,以确保床的平整性和可重复性。其模块化设计使得维护和服务相对容易，适用于工业生产线。总之，AIXTRON Crius 30 X 2是一种先进的PECVD系统，用于优质薄膜的沉积，设计时考虑到可靠性和准确性。它的两个压板设计使基板处理比单压板系统更大、更精确，其可调的工作室均匀性区允许更精确的过程控制。其先进的射频发电机和软件使其既适合工业生产线，又适合实验室研究。
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