二手 AIXTRON Crius I #192608 待售

製造商
AIXTRON
模型
Crius I
ID: 192608
Reactor, 31x2 GaN Configured for 31x2, can be upgraded for 37x2, 8x4 or other configurations System has EpiCurve and Twin TT installed (2) RM 25S and (4) RM 6S thermal baths Source Configuration: TMGa-1, TMAl-1, Cp2Mg-1, Cp2Mg-2, Cp2Mg-3, TMIn-1, TMIn-2, TMGa-2, and 4 spare source lines Currently installed 2008 vintage.
AIXTRON Crius I是用于复合半导体薄膜沉积的多功能外延反应器。是一款300 mm水平冷壁CVD工具,配备LPCVD、PECVD、EPI、MBE等多种工艺技术。Crius I腔室的温度范围很广,允许高温(HT)沉积高达1000 °C,低温(LT)沉积降至100 °C。AIXTRON Crius I先进的工艺控制功能可实现精确掺杂剂控制、严密温度控制、精确功率控制以及量身定制的气体流量。Crius I提供强大的光学监控功能,包括实时胶片厚度和发射率测量,使用户能够监控每个工艺层并确保所有胶片均符合最高质量标准。AIXTRON Crius I是一个高度自动化的平台,使用户能够配置和保存会议厅设置以及配方配置文件。Crius还具有其他功能,例如闭环反馈控制、防止等离子弧的故障安全机制,以及允许用户实时监控过程的视频设备。Crius I提供跨多个晶片的卓越均匀性,最大非均匀性在基板上小于1%。AIXTRON Crius I也有多个晶圆处理和盒式磁带的选项,有多个晶圆负载端口用于单个晶圆和盒式磁带交换的可能性。Crius能够分批沉积在单个或多个基质上。Crius I具有动态晶片冷却系统,具有单个或多个冷却区域,可实现卓越的增长率控制和峰值效率。AIXTRON Crius I还具有集成的装载机和卸载机,可实现最大的灵活性和生产力。最后,CriusI是一种300 mm的多用途反应器,能够进行HT和LT沉积。它是一个坚固而精心设计的平台,确保了掺杂剂控制的精确度和温度的稳定性,使用户能够生产高质量的复合半导体薄膜。AIXTRON Crius I先进的光学监控功能、动态冷却单元、集成装卸机使其成为先进复合半导体沉积工艺的绝佳选择。
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