二手 AIXTRON Crius II #293587244 待售

AIXTRON Crius II
製造商
AIXTRON
模型
Crius II
ID: 293587244
MOCVD System GaN InGaN.
AIXTRON Crius II是一种水平安装的大面积沉积设备,利用双室工艺技术,提高了工艺的均匀性、吞吐量和精确的工艺控制。这种水平沉积过程非常适合受控环境过程(CAP).Crius II设计基于32英寸基片尺寸,可以处理300毫米晶圆尺寸的应用。AIXTRON Crius II工艺室设计紧凑,占地1.7m x 1.5m,体积为6.5立方米,在室内安装反应堆和加工部件时可提供宽敞的控制空间。Crius II工艺室包含多个组分,包括三个大功率射频源、磁控管溅射源、离子源和高温扩散源。两个射频源用于沉积,两个用于蚀刻。AIXTRON Crius II能够利用磁控管溅射、远程等离子体、热源和高温反应堆实现沉积。该腔室的温度调节到所需的工艺温度,并为每个工艺腔室提供两个单独的气体供应。两级气体控制器独立控制气体水平、压力和流向工艺室的流量。这种先进的控制系统提供了广泛的工艺参数,以优化工艺和目标晶圆质量。Crius II使用的高级控制单元还允许自动和手动控制工艺参数,包括源掩模放置、压力、基板速度和温度。基板使用原位旋转台在腔内旋转,允许均匀和均匀的沉积和蚀刻。AIXTRON Crius II的高级控制机器也使得它与多个腔室冷却选项兼容,允许用户根据个别工艺要求量身定制冷却解决方桉。Crius II工艺室设计用于处理各种危险物质,包括B类和C类气体。最后,AIXTRON Crius II室提供了多种在线诊断工具,包括原位成像、光发射光谱、石英晶体微平衡以及一些其他诊断评估。这些工具使用户能够识别潜在的污染源、氧化膜、颗粒沉积和监测膜的均匀性。
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