二手 AIXTRON Crius II #293831257 待售

製造商
AIXTRON
模型
Crius II
ID: 293831257
晶圆大小: 4"
优质的: 2011
MOCVD System, 4" Gases: PN2: Tube size: 3 / 8" Pressure (psi): 80 ∼ 100 Flow rate: 100 L H2: Tube size: 1 / 4" Pressure (psi): 60 ∼ 100 Flow rate: 100 L H2 in N2 (10%): Tube size: 1 / 2" Pressure (psi): 100 ∼ 120 SiH4 in H2 200ppm: Tube size: 1 / 4" Pressure (psi): 40 ∼ 50 Flow rate: 0.1 L NH3: Tube size: 3 / 8" Pressure (psi): 40 ∼ 50 Flow rate: 50 L MO Sources: TMGa TMAL Cp2Mg TMI and TEG Components: Dry pump 2011 vintage.
AIXTRON Crius II是一种化学气相沉积反应器(CVD),用于薄膜沉积和半导体加工。专为提供高级材料研究和器件制造的优质薄膜而设计。反应堆是一种单晶片大气压设备,在时间上最多支撑两个晶片。它提供0.7至2 Torr的低压和50至500 °C的高温范围。Crius II由几个模块和组件组成。两个主要模块是负载锁定系统和主腔室。负载锁定单元固定晶片,并在沉积过程中提供保护。主室是保护晶片免受气体和压力影响的圆形室。它还能防止外界污染,保持最佳沉积环境。AIXTRON Crius II还包括一台晶圆运输机,将晶圆送入和送出腔室。晶片传递工具配有传送带和推动器,在腔内移动晶片。Crius II由计算机资产提供动力,它控制模型的压力和温度,以及反应物的流动和沉积过程的时间。它允许用户调整温度和压力等参数,以满足他们的具体要求。AIXTRON Crius II还具有自动化设备,允许用户编程设置。这种自动化系统有助于降低沉积过程的复杂性,使其更加高效。Crius II的先进设计也是为了高效快速的沉积而设计的。它配备了先进的沉积技术,确保薄膜的沉积准确一致。它支持多种沉积技术,具有先进的预沉积室,为晶片的沉积做准备。这确保了在主室中均匀的化学沉积,从而产生高质量的薄膜。AIXTRON Crius II也被设计为方便用户。它提供了一个大的彩色触摸屏显示屏,允许用户直观地从正面控制单元。屏幕上的菜单使控制设备和设置沉积更容易运行。总之,Crius II是一种先进的CVD机器,为先进的材料研究和设备制造提供高质量的薄膜。它是为高效和快速沉积而设计的,其用户友好的界面使得它更容易使用。它具有先进的预沉积室、先进的沉积技术和自动化的编程工具,是薄膜沉积的绝佳选择。
还没有评论