二手 AIXTRON Crius II #9399247 待售
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ID: 9399247
晶圆大小: 2"-6"
优质的: 2010
MOCVD System, 2"-6"
AFFINITY EWE-08AJ-ED43CAD0 Chiller
EDWARDS IXH645HLV Dry pump
ARGUS Temperature monitor
(4) Wires with ground wiring
Hydride lines: NH3-1/NH3-2/SiH4
(2) RAUDA RE235 Baths
(4) NOAH Precision baths
HORIBA MFC Type
GaN Gouve
Chamber (55"x2")
MO Source:
TMGa-1
TMGa-3
TEGa2
Cp2Mg-1
Cp2Mg-1
TMln-1
(7) TMAI-1
Missing parts:
ALCATEL / ADIXEN A100H/P Pump
ALCATEL / ADIXEN ACP 15 Pump
Heat voltage: 380 VAC, 3-Phase
Power supply: 208/120 VAC, 3-Phase
2010 vintage.
AIXTRON Crius II是一种先进的化学气相沉积（CVD）反应器，能够沉积多种材料，如金属、半导体、氧化物和氮化物。它是为生产和研究目的而设计的。Crius II具有坚固的模块化设计,可配置为适应各种工艺和基板尺寸。AIXTRON Crius II反应堆的主要部件包括微处理器控制的气体溷合输送系统、超高真空（UHV）室、加热的基板支架以及产生等离子体的两个磁控器。气体输送系统用于溷合气体并将气体输送到燃烧室，而特高压燃烧室则设计成保持低压稳定，以确保材料在整个基板上均匀生长。基板支架可以加热到1,300°C，以允许热掺杂和基板加热以生长高温电介质。Crius II可容纳直径最大为4英寸的底物，与金属有机前体、气态有机金属化合物等各种原料兼容。两个磁控管利用直流（DC）功率产生高密度等离子体，有助于提高材料生长的反应速率和均匀性。磁控管还用于监测和控制温度、压力、等离子体功率等沉积条件。AIXTRON Crius II配备了强大的软件程序，允许精确控制所有加工参数，包括基板持有者温度、磁控管功率和气体浓度。也可用于运行自优化周期，以微调增长过程。Crius II反应堆是一种功能强大、用途广泛的工具，用于沉积各种材料，从金属、半导体和氧化物到氮化物。它具有符合人体工程学的设计，能够可靠和一致的沉积，以及对生长参数的精确控制，以优化工艺。适用于研究和生产应用。
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