二手 AIXTRON G3 2600 #9111425 待售
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ID: 9111425
晶圆大小: 4"
MOCVD Systems, 4"
LED for GaN
Wafer size : 4" x 8 , 2" x 24
Heating type: RF induction heater
Epi-tune: In-situ reflectance spectra
MO Source: TMGa, TEGa, Cp2Mg, TMIn, TMAl
Software OS: Window
Gas system:
Gas line: VCR type
MFC: Bronhost, N2 / H2 / HCL / SiH4 / NH3
Carrier gas: H2 flow 70L/min; N2 flow 70L/min
Vacuum system:
Process pump: Ebara ESA25D
Filter: exhaust gas filter with separate water cooling unit
Pressure control: MKS651 controller, throttle valve
Cooling system:
Cooling liquid: Water
Max. inlet pressure: < 6 bar
Differential pressure: > 4 bar
Inlet temperature: < 25º C
Outlet temperature: < 65º C
Includes:
GMS Cabinet
Reactor cabinet
Exhaust and chamber
Scrubber
RF Generator
Particle filter
Pump
208 V, 3 Ph, 50/60 Hz
Currently warehoused
2002-2007 vintages.
AIXTRON G3 2600是一种先进的热壁化学气相沉积（HWCVD）反应器，设计用于生产纳米结构和纳米复合材料薄膜。这座先进的CVD反应堆具有模块化设计，允许控制多个沉积参数，包括气体流量、压力、温度等。它还配备了石英工艺管和大功率射频（Radio Frequency）发生器，以允许原子物种操纵。G3 2600能够将材料精密沉积到纳米级，能够生产出高质量的薄膜。其模块化设计允许控制和调整气体流量、压力、温度等沉积参数，从而确保精度和可重复性。此外，该装置的设计使得不同的沉积配方可以存储在其计算机系统中，从而使薄膜的快速高效生产成为可能。此外,AIXTRON G 3 2600还提供多种高级功能,包括由石英保护的不锈钢制成的内饰、用户友好的触摸屏控制面板、符合人体工程学的设计以及与洁净室兼容的部件。此外，G3 2600还具有高功率射频发电机（最高76 MHz）和加热石英工艺管，这两者都能够对生长中的薄膜进行精确控制。这种先进的设计使得反应器特别适合于量子材料和纳米复合材料膜的沉积。得益于高功率射频发生器，用户可以在工艺管内操纵原子和离子物种，让他们精确控制沉积速率和薄膜的组成。综上所述，AIXTRON G 3 2600是一种先进的CVD反应器，设计用于生产精确和精确的纳米结构和纳米复合薄膜。其模块化设计、人体工程学特性以及射频发生器和石英工艺管等先进特性，使其成为广泛应用的绝佳选择。
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