二手 AIXTRON G3 2600 #9214303 待售
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ID: 9214303
晶圆大小: 4"
优质的: 2007
MOCVD Systems, 4"
LED for GaN
Wafer size : 4" x 8", 2" x 24"
Heating type: RF Induction heater
Epi-tune: In-situ reflectance spectra
MO Source: TMGa, TEGa, Cp2Mg, TMIn, TMAl
Operating system: Windows
Gas system:
Gas line: VCR Type
MFC: Bronhost, N2 / H2 / HCL / SiH4 / NH3
Carrier gas: H2 Flow 70L/min; N2 flow 70L/min
Vacuum system:
Process pump: EBARA ESA25D
Filter: Exhaust gas filter with separate water cooling unit
Pressure control: MKS651 Controller, throttle valve
Cooling system:
Cooling liquid: Water
Maximum inlet pressure: < 6 Bar
Differential pressure: > 4 Bar
Inlet temperature: < 25º C
Outlet temperature: < 65º C
Includes:
GMS Cabinet
Reactor cabinet
Exhaust and chamber
Scrubber
RF Generator
Particle filter
Pump
Power supply: 208 V, 50/60 Hz, 3 Phase
2007 vintage.
AIXTRON G3 2600是下一代半导体制造反应堆，使工业能够生产高性能商用半导体器件。AIXTRON G3是一种等离子体增强化学气相沉积（PECVD）反应器，是高温环境下用于将氧化物、氮化物、多晶硅等薄膜材料沉积到基板上的沉积技术形式。这座反应堆是专门为满足现代半导体制造工艺的高端半导体增长要求而设计的。G3 2600利用多个RF（射频）通道、一键模型控制（OMC）、高效双等离子体源等先进特性，最大化均匀性和过程控制。多个射频通道允许控制不同的反应堆参数，包括压力、温度和自由基密度，从而能够精确监测反应堆环境。OMC简化了工艺设置，降低了风险，而高效双等离子体源确保了多个晶片基板的均匀性。AIXTRON G 3 2600还配备了11区FP-Al2O3设备，降低了沉积过程中产生颗粒的风险。这个FP-Al2O3系统包含一个定制设计的陶瓷衬里，降低了颗粒水平，同时还提供了改进的散热。此外，先进的温度控制装置可以精确监测反应物温度，精度高达0.1°C。除了在过程控制和均匀性方面的优势外，G3 2600还提供了许多其他功能。其中包括一台内置脱气机，它可以从反应堆环境中去除不需要的空气、氧气和挥发性有机化合物，以提高纯度和高生产率能力。AIXTRON G 3 2600是一种坚固可靠的反应堆工具，在满足现代半导体制造工艺的高端半导体增长要求的同时，提供了出色的阶跃覆盖和均匀性。G3 2600具有先进的特性、精确的工艺控制、高生产率，是半导体器件生产的理想选择。
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