二手 AIXTRON G3 #9040737 待售
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已售出
ID: 9040737
MOCVD Systems, 24x2"
No. of wafers per carrier: 24x2"
Process: GaN
Gas Configuration: NH3, H2, N2, SiH4, TMGa, TMAl, CP2Mg, TEGa, TMIn
No purifiers
Packaged and placed in a warehouse.
AIXTRON G3是AIXTRON设计的一种反应性离子蚀刻(RIE)反应器,用于广泛行业的专门、高精度蚀刻需求。它完全能够处理干蚀刻和湿蚀刻过程,并且与各种化学和物理蚀刻过程中使用的各种气体兼容。AIXTRON G 3具有20英寸x 20英寸的大腔室,具有高达12英寸的高度间隙,旨在生产具有高长宽比和高特征分辨率的蚀刻轮廓。它包括一个标准的石英钟形罐,其设计具有先进的蚀刻几何形状和高度优化的工艺参数。G3利用ICP源技术,产生先进的放电和等离子体蚀刻吞吐量。该技术与可变直流电源相结合,产生更高的蚀刻速率和更好的均匀性。该室还具有可调节的反向偏差,以改善蚀刻选择性和绝缘的完美蚀刻结构,最小的表面损伤。G3具有全套过程监控元件,包括压力控制、温度传感器、自动清除循环控制和蚀刻时间控制。板载控制器采用集成的硬件和软件控制以及真空进给方式设计,便于连接到外部系统。该系统还具有自动强化功能,使蚀刻速率在长蚀刻周期内保持优化。AIXTRON G3被设计为一种多合一蚀刻解决方桉,可用于多种研发、生产和工业设置。该系统设计易于使用且极可靠,并已被证明可以蚀刻广泛的材料,包括多晶硅、氧化硅、金属和其他常见材料。此外,即使在需要高长宽比、高长宽分辨率或低蚀刻速率的过程中,系统也可以安全有效地蚀刻这些具有高速和卓越吞吐量的材料。
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