二手 AIXTRON G3 #9066893 待售
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ID: 9066893
晶圆大小: 4"
MOCVD Systems, 4"
LED for GaN
Wafer Size : 4" x 8 , 2" x 24
Epi-tune: In-situ reflectance spectra
Gas: N2 / H2 / HCL / SiH4 / NH3
Source: TMGa, TEGa, Cp2Mg, TMIn, TMAl
Gas System:
Gas line: VCR type
MFC: Bronhost
Carrier gas: H2 flow 70L/min; N2 flow 70L/min
Vacuum System:
Process pump: Ebara ESA25D
Filter: exhaust gas filter with separate water cooling unit
Pressure control: MKS651 controller, throttle valve
Includes:
GMS Cabinet
Reactor cabinet
Exhaust and chamber
Scrubber
RF Generator
Particle filter
Pump
Software OS; Window
Voltage: 208 V AC, 3-Ph
Power: System: 25 kVA, Heater: 144 kVA
Frequency: 50/60 Hz
Cooling system:
Cooling liquid: Water
Max. inlet pressure: < 6 bar
Differential pressure: > 4 bar
Inlet temperature: < 25º C
Outlet temperature: < 65º C
2005-2007 vintages.
AIXTRON G3是一种化学气相沉积反应器，设计用于生长先进的功能材料。AIXTRON G3工艺室适合各种材料的生长,包括高迁移率金属、电介质和半导体,并具有多种先进技术,特别是高工艺灵活性、全方位气体控制和高度直观的用户界面。AIXTRON G3process腔室能够容纳多达四个线性配置的晶片，总容量最多为8个晶片（6英寸或4英寸），带有单个基板支架。G3的灵活性使得从铝到硅的各种材料能够在各种晶圆类型上生长。晶圆温度范围从室温到500摄氏度，用于生长III-V、过渡金属氧化物和金属。G3具有三壁结构的被动式离子泵泵降系统，可消除外界污染。它还提供多区温度控制和温度监测气体流动，允许独立的过程控制和独立的温度控制蒸发材料。所有过程参数都是可调的，允许用户精确控制增长条件。AIXTRON G3包括高级用户友好软件包,它提供组织良好、易于理解的图形用户界面（GUI）。这有助于用户方便地控制流程,而不必担心复杂的流程或编程。软件包还集成了所有安全代码，以确保工艺的安全运行和对基板的最大保护。AIXTRON G3是在各种晶片类型上以高精度种植多种材料的好选择。它可以用作研究和工业应用的有效工具。这项尖端技术提供了创造先进材料的独特机会,并为各种应用开发高性能产品向前迈进了一步。
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