二手 AIXTRON G5 HT #9256337 待售
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ID: 9256337
优质的: 2012
MOCVD System
Capacity: 56x2", 14x4", 8x6"
Wiring: 4-Wire with ground
Hydride line: NH3-1, NH3-2, SiH4
MO Source: TMGa-1, TMGa-2, TMAl-1, Cp2Mg-1, Cp2Mg-2, TMIn-1, TMIn-2, TEGa-1, TEGa-2
MFC: Horiba
Temperature monitor: EPI TT
Power supply: 400 / 230 V AC, 3 Phase
2012 vintage.
AIXTRON G5 HT是由先进技术沉积系统领先制造商AIXTRON制造的高温反应堆。AIXTRON G5HT是为大面积半导体器件应用而设计的高级外延工具，如Power MOSFET、高性能电力电子和High Electron Mobility Transistors（HEMTs）。G5 HT可将工艺温度维持在1045°C,并提供精确的温度控制。配备了自动压力控制、高压冲洗等多种设备特点，保证了高质量的薄膜沉积工艺。系统的核心是感光器、石英卤素灯和射频发生器。该感应器的设计便于操作过程中的加载和卸载。其温度范围为300-1300 °C，采用红外和卤素灯组合加热。石英卤素灯提供聚焦、集中加热，易于调节，提供光滑的加热模式。射频发生器提供额外的热力，可用于产生等离子体工艺，以提高沉积速率和提高工艺性能。G5HT利用AIXTRON专有气体输送装置，允许在不需要辅助气体管线的情况下输送各种前体材料。这使得可以沉积的材料类型具有完全的灵活性。此外，AIXTRON G5 HT还能进行厚膜氮化氙掺杂，使高电子迁移率晶体管（HEMTs）的制造成为可能。AIXTRON G5HT的优点包括高温能力、沉积多种材料的能力、高效的气体输送机以及精确的温度控制。G5 HT是一种可靠、经济高效、易于使用的工具，使其成为半导体器件制造的绝佳选择。
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