二手 AIXTRON VP 2400HW #9234069 待售
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ID: 9234069
晶圆大小: 4"
优质的: 2012
EPI SiC Reactor, 4"
Type: Modular CVD system
Reactor: Disk-shaped horizontal laminar flow stainless steel reactor
Vacuum system: EBARA ESA70W-D Dry process pump
Gas handling:
(316) Stainless steel tubings
VCR Connectors
Electronic mass flow and pressure controllers
Susceptor / Ceiling:
High purity graphite with special coating
Rotating substrate holder (Gas foil rotation)
Heater: RF Induction heater 2 x 80 kW, 20-50 kHz
Maximum reactor temperature: 1600°C
Pressure range for process: 100-1000 mbar for overall flows < 100 slm
MO Temperature control:
Recirculating controlled temperature baths
Accuracy: 0.05°C
Range: -10°C to +60°C
Mass flow control: Electronic mass flow controllers (HiTec)
Pressure control: MKS Baratrons and valves
Back pressure controllers: HiTec pressure controllers
Conditions (Typical):
Total carrier gas flow at process 80 slm and process gases
Auxiliary lines: 15 slm
Power supply:
Electronic: 22 kVA (Maximum)
Heater: 88 kVA (Maximum)
2012 vintage.
AIXTRON VP 2400HW是一种用于半导体研发和生产的高带真空气相沉积（PVD）反应器。它配备了独特的六边形腔室设计，最大化了可用的总容量，并允许快速交换基板和晶片，而无需额外的载荷/卸载步骤。全钨加热罩保护腔壁，确保均匀加热以均匀沉积薄膜。AIXTRON VP 2400 HW旨在遵循业界领先的最佳做法,以确保稳定可靠的真空环境。其温度控制设备集成到一个单室系统中，允许在许多晶片上均匀沉积，以及在各个晶片上优化沉积均匀性。VP 2400HW具有获得专利的旋转加热器块和多个工艺室，包括主工艺室、主上游室和主下游室。主工艺室设有中心钨管加热器、用于工艺气体电离的环形电子回旋共振（ECR）射频源和用于放置目标材料的阴极电源。可以使用多个石英crucibles和隔离的闸阀将原料分配到工艺室内。此外，VP 2400 HW配备了一个额外的射频源，可以用于电子轰击样品。整个单元配备了先进的工艺软件，实现了工艺温度等参数的自动化控制。AIXTRON VP 2400HW过程软件支持溅射、LPCVD、MOCVD、ALD、ECR氧化监测等过程。它提供流程端点监视、实时分析和数据日志记录。此外，AIXTRON VP 2400 HW具有利用多种基材和材料的能力，具有多种晶圆尺寸和形状，直径在2到8英寸之间。VP 2400HW还具有许多方便操作的功能。纳入了全面和综合的安全系统，包括自动关闭以及应急警报和控制。该反应堆设计为无维护，便于维修和保养。该机还设计用于低功耗和快速操作，以高效利用资源和时间。总体而言，VP 2400 HW是一种高性能真空气相沉积反应器，设计用于先进的半导体研发和生产。它配备了最新技术，以确保准确和高效的流程和操作。完全符合安全环保法规，用电量低。因此,AIXTRON VP 2400HW对于那些寻求高质量和可靠PVD工具的用户来说是一个极好的选择。
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