二手 AMAT / APPLIED MATERIALS 0010-03254 #293763796 待售
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ID: 293763796
晶圆大小: 8"
MCA E-Chuck assembly, 8"
Bellows leak: 1 x 10E-9 cc/s, He
Helium line leak: 1 x 10E-9 cc/s, He
SUS Cover leak: 1 x 10E-9 cc/s, He
ESC:
Pad dimple height: 3 Microns
Depth of groove: 59 microns
Luminosity: 160-170
Flatness of WF Zone: 0.04-0.05 µm
Cables and resistivity:
Resistivity of electrodes: 1-2: 17.8 Ω
Resistivity of electrodes: 3-4: 4.9 Ω
TC 1: 10.2 Ω
TC 2: 8.7 Ω
Chucking test (±300 V / Bi-polar type):
600 V 1st(-): 300 V
600 V 2nd(+): 300 V
90° (No sliding).
AMAT/APPLIED MATERIALS 0010-03254 Reactor是一种先进的离子植入设备，设计用于半导体制造过程和相关的微加工应用。该系统由具有精密离子源组件的高真空室和用于控制离子束方向和光斑大小的离子束准直仪组成。用射频电源加速离子束，然后聚焦到样品级。腔室可通过腔内涡轮泵和闸阀进行疏散和激活。AMAT 0010-03254反应堆包含离子源技术，使各种工艺参数能够得到精确控制。源中的有源高能元素提供了更好的可靠性、过程稳定性和快速启动，同时也使其成为低温和高能过程的理想选择。稳定的放电使源物种电离，并使用双极射频源控制离子能量。源加热元件将源物种精确雾化解离，气阀可用于控制源物种的流量、压力和组成。离子的能量扩散由两个独立的栅格控制。EXPLICED MATERIALS 0010-03254 Reactor包含一个束诊断单元，包括角度和飞行时间扫描以及用于表征离子束的可抽取束电流测量。一个可选的计算机控制的样品阶段可用于工件定位，使扫描植入物和X，Y平面样品运动精确剂量控制。该机还包含一个独立的端泵，用于快速疏散。磁电子多极用于光束聚焦，可针对高电子邮件角和低能角进行调节。0010-03254反应堆能够以多种模式运行，包括单晶片和批处理模式，可用于植入任何种类的离子。该工具提供高达两毫安培的电流、可调偏置电压和0-980 °C的有源温度范围。资产可以容纳任何样本量/形状，包括多个晶圆，压力范围在10-3至10-7 torr之间。最大光束能量为50至500 keV,具有先进的过程监控和机器操作功能。AMAT/APPLIED MATERIALS 0010-03254 Reactor是一种高效率且先进的模型，执行广泛的临界半导体製造过程。
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