二手 AMAT / APPLIED MATERIALS Centura 4.0 Radiance #9070281 待售
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ID: 9070281
晶圆大小: 12"
优质的: 2003
Platform RTP systems, 12"
Single Wafer Processing
Multi-chambers
Position A, B, C: 12" RTP (RPO/RTO)
RTN Capability
Software Legacy B4.60_30
Computer NT 4.0
Kawasaki Robot FI
Aligner
Single Blade MF Robot
WRLD Controller
Mainframe N2 gas flow MFC
Chambers:
Chamber type: Radiance RTP
Gas config. (sccm)=MFC full scale
N2 Frame(20000)/NH3(30000)
N2O(30000)/He(5000)/N2 Low(500)
O2 Low(10000)/O2(50000)/N2(50000)
N2 BOT(50000)/He BOT(50000)/N2 MAG(100000)
Chambers A, B, D:
Gas stick 1 - N2-Frame, 20slm
Gas stick 2 - NH3, 30slm
Gas stick 3 - N2O, 30slm
Gas stick 4- none
Gas stick 5 - HE, 5slm
Gas stick 6 - N2Low, 500cc
Gas stick 7 - O2 Low, 10slm
Gas stick 8 - O2, 50slm
Gas stick 9 - N2, 50slm
Gas stick 10 -N2BOT, 50slm
Gas stick 11 - HEBOT, 50slm
Gas stick 12 - N2-MAG, 100slm
Missing parts:
Buffer Blade, 0200-02527
Ch-D (HDA), 0190-38992
Currently in storage
2003 vintage.
AMAT Centura 4.0 Radiance是一种先进的单晶圆热化学气相沉积（CVD）反应器。设计用于生产具有卓越均匀性、临界尺寸均匀性和附着力的氧化物、氮化物和金属膜。Centura 4.0 Radiance是先进半导体器件制造的理想选择。反应堆的特点是水平的，CVD就绪卡盘与负载锁和晶圆映射室。这样可以有效地装载和卸载基板,以及精确的设备控制。负载锁和晶片映射室为用户提供额外的过程控制和安全性，而单晶片水平方向则增加均匀性并降低污染。该室采用All-Ceramic设计，具有阻燃性能，需要最小的环氧维护。Centura 4.0 Radiance采用带有气体喷射器系统的Smartwall工艺室和等离子体曝光体积减少技术（PVR）构建,为所有运行的工艺提供统一的CVD工艺流程。这个独特的单元允许用户控制从气流到压力剖面和温度的腔室条件。PVR注射机提供了对反应物气体的全面控制，进一步确保了均匀性和一致的结果。此外,Centura 4.0 Radiance还配备了带有CoolFlush RF工具的Etch Ready,可均匀去除天然氧化物并进行保形清洁。反应堆还集成了Recipe Edition 4.0工艺控制软件包以及用户友好的视觉显示和诊断。该软件包括诸如Process Metrics之类的功能,用于监视配方和秒表以跟踪处理时间。软件提供对沉积过程的完整控制和管理,从加载和程序配置到配方执行和数据分析,确保产品质量。总体而言,APPLIED MATERIALS Centura 4.0 Radiance CVD反应器是一种高效、可靠且经济高效的解决方桉,用于氧化物、氮化物和金属的高温和短时处理。它在临界尺寸和板材阻力方面都提供了卓越的均匀性，具有出色的附着力和出色的台阶覆盖率。这使其成为先进半导体器件制造工艺的理想选择。
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