二手 AMAT / APPLIED MATERIALS Centura 5200 MxP #9105942 待售
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ID: 9105942
晶圆大小: 8"
Dielectric oxide etcher, 8"
(3) Chambers
Install type: Through the wall
Cassette interface:
Narrow body load locks with wafer mapping
HP Robot
On-the-fly wafer center finding
Software version: 4.8_27
Chambers A, B, C, and D: Dielectric etch MXP
ESC
Standard cathode
Bolt-down chamber lid
Seiko seiki STP 301 CB1
Phase IV RF Match
AMAT optical endpoint system S/W version 30
(2) AMAT 1 heat exchangers
(2) Neslab HX-150 chillers with CHX Interface
Gas panel configured as follows:
Chamber A:
N2 100
O2 50
CF4$ 200
CHF3 100
Ar 150
Chamber B:
N2 100
O2 50
CF4$ 200
CHF3 100
Ar 110
Chambers C, D:
N2 100
O2 50
CF4$ 200
CHF3 100
Ar 250.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura 5200 MxP是一种半导体级化学气相沉积（CVD）反应器，用于先进的膜沉积过程。该设备采用先进的设计，应用高k电介质、金属氮化物等先进薄膜沉积工艺，以创建超高速晶体管网络。AMAT Centura 5200 MxP是一系列AMAT沉积系统中最新的，旨在满足半导体制造业的严格需求。APPLIED MATERIALS Centura 5200 MxP反应堆由五个模块组成，每个模块设计为提供卓越的性能和可靠性。该系统由电源、加工室、晶圆处理单元、温度控制系统和气体输送机组成。电源对沉积过程提供了高度的精度和控制，从而实现了精确的材料沉积。该工艺室采用圆柱形不锈钢设计，配有加热器板和两个提升销以实现精确和可重复的厚度均匀性。巧妙设计的工艺室采用独特的沉积循环，在静态和动态沉积模式下运行。晶圆处理工具包括200毫米晶圆自动运输资产和三轴晶圆操纵。晶圆操作模型可实现高度精确的晶圆放置和气流控制，从而实现可重复、均匀的沉积结果。温度控制系统通过精确控制基板的加热和冷却速率，在沉积过程中提供了整个晶片的精确均匀性。气体输送设备提供沉积过程中所需的气体，而灵活气体选择功能提供了使用单一或多重气体的选项。该系统还利用了一些先进的安全功能，如灭火、泄漏检测和紧急关闭，以确保安全可靠的操作。总体而言，Centura 5200 MxP是专门为先进薄膜沉积工艺设计的先进CVD反应器。AMAT/APPLIED MATERIALS Centura 5200 MxP具有先进的设计、工艺室、温度控制系统和气体输送装置,为高质量的薄膜沉积应用提供了卓越的性能和可靠性。
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