二手 AMAT / APPLIED MATERIALS Centura ACP RP #9096042 待售
看起来这件物品已经卖了。检查下面的类似产品或与我们联系,我们经验丰富的团队将为您找到它。
已售出
ID: 9096042
晶圆大小: 12"
Epitaxial silicon (EPI) System, 12"
Position A: Yes
Position B: Yes
Position C: Yes
Position D: Yes
System software: B2.7_39
FiCGUI: fB4.90_15 Beta
GP: gB7.50_11
WIP Delivery type: OHT WIP delivery
(2) Load ports
Remote control system capable: NO
eDiagnostics ready: Yes
Docked E99 reading capability: Yes
Load port types: Enhanced 25-Wafer FOUP
Docking flange shield: Yes
Air intake system: Top intake
E84 carrier handoff: Upper E84 interface enabled OHT
E84 PIO sensors and cables: Upper E84 sensor an cable
E99 Carrier ID: TIRIS
With RF
Operator access switch: Yes
Carrier ID host interface: No
OHT Light curtain: Light curtain
SECS Trace: Yes
Single axis aligner: Single axis aligner
Robots: No
Mainframe type: CORE ENP BLOCK 2
LL: Batch load lack
Chamber Interface: Vented stainless stell insert
Pumps:
Process pump: EDWARDS iH1000SC, 100 Hz
Transfer Pump: ALCATEL ADS602
LL Pump: ALCATEL ADS602
Baratrons : MKS
Lift Pins: Hollow silicon carbide graphite
Recipe control AccuSETT: Yes
Lamp type: USHIO 0190-31284
Process temperature: PID Control real time display
Emissivity: 0.55 to 0.75 upper and 0.6 to 0.8 lower
Upper/Lower Gain (kw/C): 0.5 NOT allowed to adjust but capable
Upper/Lower TI (sec):
10s Upper
20s Lower
Gas panel feed: Bottom
Pump purge: YES
Regulators and displays Transducers and regulators
SiH2CI2 Stick 07: DCS (500 sccm)
HCl Stick 03: HCL (500 sccm)
SiH4 tick 04: SIH4 (500 sccm)
H2 NIL
H2 Main Stick 01: Purge main (100000 sccm)
H2 Slit Stick 02: Purge slit (30000 sccm)
3 degree flared in upper outer
threaded upper inner: threaded upper inner 0041-01969
FTGNIP QDISC: FTGNIP QDISC 3/8BODY X 3/8-18FP1.71"LSST303 3300-01720
Phase II hardware
Shaft
6-arm susceptor support:
Reflector
Base
Lower mid
Top
Lower mid
H2 Purifier: Yes
Currently de-installed.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura ACP RP是一种先进、高性能的半导体制造等离子蚀刻加工反应器。它具有高效的沉积系统,具有专门设计的溅射电极和获得专利的Costar可旋转工艺(CRP)设备,用于精确控制工艺参数。通过仔细的过程控制和准确的沉积,CRP可以优化过程并提高产量.ACP RP是为一系列半导体处理需求而设计的,包括CMOS和III-V器件。它能够现场物理沉积和化学沉积,通过先进的精度和精确度提供更高的工艺控制。ACP RP反应堆由射频等离子体供电,为半导体应用生产多种材料提供了有效的等离子体源。该反应器具有从蚀刻和离子注入到选择性沉积的广泛工艺能力。它利用专有软件和获得专利的Costar Rotatable Process对电极和等离子体路径进行精确对齐,以便在晶圆上最优地沉积层。该系统还具有高效的真空系统,并配有专门的工艺室,以提高沉积的均匀性。这使得沉积过程的整个过程具有更高的均匀性。特殊工艺室降低了噪声水平,提高了沉积性能。此外,ACP RP具有e-Beam Driven Process Sources(EBPS),能够在一个步骤中快速蚀刻、离子植入和其他等离子处理技术。ACP RP配备了先进的控制系统,可以对工艺参数进行精确的控制。这确保了可重现、高产量的结果,使得ACP RP适合广泛的应用。此外,ACP RP易于扩展,具有可旋转平板、Unigy静电卡盘(ESC)、RoboSTAT Process Control Software等可选功能。所有这些功能确保了一致和可预测的结果,在生产环境中实现了优化的吞吐量和提高的产量。ACP RP专为快速、无故障的操作而设计,并提供卓越的功能,使其适合各种半导体制造工艺。其先进的射频等离子体源和高精度的过程控制使得它成为任何需要可靠性和准确性的过程的绝佳选择。AMAT Centura ACP RP具有强大的设计和性能,是高容量和复杂等离子体蚀刻处理任务的理想选择。
还没有评论