二手 AMAT / APPLIED MATERIALS Centura ACP RP #9168768 待售
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ID: 9168768
晶圆大小: 12"
优质的: 2008
EPI System, 12"
Includes: HDD
Factory interface options:
Wafer transfer robot: YASKAWA Robot
Load port types: TDK25 Wafer FOUP V2
(3) Loadports
Power supply:
FFU 208 VAC
Controller 110 VAC
ULPA Filter: PTFE Boron free ULPA
Orienter: Pre aligner
End effecter: Edge grip PEEK material
Remote options:
Monitor 1: 17" Flat panel with keyboard on ergo arm
Mainframe options:
Mainframe type: ACP BLOCK 2
Loadlocks: Batch loadlock
Chamber interface: Vented stainless steel insert and door with viton
DVR Record license
Water hose fittings: Yes
Water module stand: Yes
Upper frame H2 leak detector: Yes
Chamber A/B: (RH3) Reduced pressure EPI
Lamp type: USHIO BNA8
MFC: UNIT 8561
Pump purge: Yes
Regulator and displays: Transducers and regulators
Transducer display type: SI (KPA)
H2 Leak detector: Single
H2 50slm
H2 10slm
HCL 500sccm
HCL 15slm
SiH4 500sccm
SiH2Cl2 500sccm
GeH4 500sccm
Direct dopant x 2 line
Dopant mixer 2line
Spare 1 line 100sccm
Aux GeH4 line 100sccm
Currently warehoused
2008 vintag
AMAT/APPLIED MATERIALS CENTURA ACP RP（RapidPulse）等离子体增强型化学气相沉积（PECVD）反应器是半导体制造工业用于薄膜沉积的高性能、多室平台。AMAT Centura ACP RP能够为设备生产过程沉积各种材料层，如氧化物、氮化物、金刚石样以及掺杂剂。APPLIED MATERIALS Centura ACP RP具有单晶片清洁区和加热的原位电子回旋共振（ECR）源。该源产生电离的物种和自由基，轰击底物以获得最佳表面活化和增加附着力。ACP RP还具有先进的工艺系统,可提供卓越的温度控制、均匀的薄膜和最小化的工艺复杂性。它将射频敏感器加热和架空冷却与精确的温度精度相结合，以保持纳米级模具和全晶片之间的均匀性。该反应堆配有各种原位感应和控制系统，包括等离子体发射传感器、象限零件压力传感器、热传感器、离子计和专用过程控制系统，旨在随时精确监测基板温度和加工室压力。此外,ACP RP的负载锁定室使晶片能够自动从晶片支架加载和卸载,而不会影响工艺质量。这有助于确保统一的过程结果，同时消除在手动装卸时可能发生的碎片。再者，ACP RP的模块化设计使晶圆架得以更换，反应堆的晶圆处理可以定制以满足设备要求。Centura ACP RP提供卓越的性能和可靠性,产量超过行业标准。ACP RP具有高吞吐量、低占地面积和先进的工艺控制能力,是要求苛刻的半导体生产环境的理想选择。
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