二手 AMAT / APPLIED MATERIALS Centura AP DPS II Polysilicon #9208337 待售
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ID: 9208337
晶圆大小: 12"
Polysilicon etcher, 12"
Wafer Size:
Diameter:
300 +/- 0.05mm
775 +/- 25um
Notch
Carrier: FOUP
With SEMI E47.1 (25 Wafers)
Water leak detector
Regulated N2 gas supply line
Corrosion resistant FI & SWLL
Heated SWLL
With ceramic diffusers
Transfer chamber: Accelerator
Loadlock isolation / Slit valve: AP Chemraz 513 elastomer
Atmospheric robot: KAWASAKI Single fixed robot with Edgegrip
(3) Loadports
Loadport type: Enhanced 25 wafer FOUP
(3) Light towers
EMO Type: Turn to release
System monitor:
Flat panel: Monitor 1
With keyboard on stand
Monitor cable lengths: 25ft With 16ft effective
IPUP Type: ALCATEL A100L / TOYOTA 0395-11103
Supporting remote units:
Etch common AC rack (DPS II): Cutler hammer blue AC rack
(19) Kits for AC rack
Chillers (DPS II): (2) H2000 & (4) SMC496
Coolant: DIEG / Galden
Chiller hose length: 75 Feet
Hardware configuration:
Process chamber: 1 - 4
DPS-II With AGN
Chamber hardware assy: MS411037-XA-BMA1A (24 Kit assemblies)
Endpoint type (Eye D IEP)
Plasma state monitor
ESC Type: ESC, ASSY, DPS2
Single ring:
Ceramic single ring
With (12) pockets
TMP SHIMADZU 3400l: TMP 3000 l/s, BOC EDWARDS
Upper chamber liner
Lower chamber liner
Inner SV door
Tunable gas nozzlez:
With ceramic weldment
RF Generator: 3 kW / 13.56 MHz, DPS2 1 Bottom
RF Generator: 1.5 kW / 13.56 MHz, DS2 2 Bottom
Bias match: DPS2
Source match: DPS2
O-ring kit for process express: KALREZ 8085
ESR80WN: EABARA
Gas box configuration:
Gas line 1: Cl2 100 sccm GF125
Gas line 2: HCl 200 sccm GF125
Gas line 3: HBr 600 sccm AE-PN780CBA
Gas line 4: SiF4 200 sccm GF125
Gas line 5: N2 200 sccm GF125
Gas line 6: O2 200 sccm GF125
Gas line 7: O2/He 50 sccm GF125
Gas line 8: SF6 200 sccm GF125
Gas line 9: SF6 50 sccm GF125
Gas line 10: CF4 200 sccm GF125
Gas line 11: CHF3 200 sccm GF125
Gas line 12: Ar 400 sccm GF125
Gas panel: Standard
Process kit configuration: Consumables
Gas weldment O-ring: 250 rf Hours
Swap parts
Missing parts:
Qty / Description / P/N
(1) / View window / 0200-36461
(1) / 10 torr Gauge / 135-00013
(1) / Ion gauge / 3310-0006
(1) / Bias match / 0190-03009
(1) / HV / 0090-00865
(1) / Foreline gauge / 1350-01232
(1) / Ion gauge ISO valve / 3870-00021
(1) / Monochrometer EPD / 0010-05478
(1) / Slit door irons / 0020-64587
(1) / Slit door bellow / 0040-76767
(1) / NA Heated weldment tee KF 40 warranty / 0190-23502
(1) / Heated weldment 7.09 KF 40 R warranty / 0190-23503
(1) / Ion gauge ISO valve / 3870-00021
(1) / Ion gauge / 3310-00006
(1) / Heated weldment 7.09 kf 40 r warranty / 0190-23503
(1) / Ion gauge ISO valve / 3870-00021
(1) / Ion gauge / 3310-00006
(1) / Bias match / 0190-03009
(1) / Foreline gauge / 1350-01232
(1) / HV / 0090-00865
(1) / MF Robot driver / 0190-17853
(3) / E84 Cables
(2) / Special gas pipes
Qty / Chamber / Description
(1) / CHA / Pressure switch 10 torr
(1) / CHB / Check valve
(1) / CHB / Pressure switch 10 torr
(1) / CHC / Pressure switch 10 torr
(1) / CHC / Check valve
(1) / CHC / View port window.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura AP DPS II多晶硅反应器是为半导体工业生产高纯度多晶硅而设计的先进生产设备。这一复杂的系统利用三种不同的过程执行方式--氙等离子体掺杂（APD）、电荷浮动层（CFL）和硅植入（SI）--在生产的多晶硅中达到最佳纯度。APD工艺采用了氙等离子体掺杂技术，将砷或磷掺杂剂引入多晶硅晶片表面，从而实现了电导率的变化和对材料电子性能的精确控制。CFL工艺利用浮动电荷层（FCL）调节掺杂剂运动，提供了掺杂剂选择的灵活性，改进了工艺控制。最后，SI工艺利用离子注入工艺将独特的基板表面引入多晶硅晶片，对其电性能进行精确控制，提高晶片质量。AMAT Centura AP DPS II多晶硅反应堆的设计使高速、多室的方法能够生产多晶硅，允许每小时最多同时处理六个全尺寸。这使得它非常适合大规模的生产要求。利用其定制能力，用户可以配置该单元以创建多种输出规格，如生长载流子浓度、快速热退火（RTA）和多晶硅沉积。这允许进一步加快处理时间。该机集成了六个关键部件：1）气体输送工具；2）真空资产；3）污染控制模型；4）工艺室；（五）电子设备，（六）微层压设备。气体输送系统确保以安全和有效的方式供应所有必要的气体和掺杂剂。真空装置可清除环境中的任何挥发性污染物,并控制机器的压力。污染控制工具包括先进的清洗技术，用于净化环境之前和之后的每个过程。加工室的设计目的是使物质保持在所需的温度和压力水平，并提供真正清洁的环境。电子设备监视和记录所有资产操作,并提供各种模型控制功能。最后，微层合设备可以实现精确的材料沉积和控制。综上所述，APPLIED MATERIALS Centura AP DPS II多晶硅反应器是半导体工业的先进生产系统。它利用了三种不同的过程执行方法--氙等离子体掺杂（APD）、电荷浮动层（CFL）和硅植入（SI），以达到所生产的多晶硅的最佳纯度水平。该单元每小时最多可生产六个全尺寸晶片，并且可以针对各种晶片规格进行定制。该机器还与六个关键部件集成在一起,即气体输送工具、真空资产、污染控制模型、工艺室、电子设备和微型层压设备,以实现最高的质量和效率。
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