二手 AMAT / APPLIED MATERIALS Centura AP Ultima X #9329246 待售

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ID: 9329246
晶圆大小: 12"
优质的: 2007
HDP CVD System, 12" Chamber A, B and C: Chamber type: Ultima X HDP CVD RF Source: 1.8-2.17 MHz (Maximum 10000 W) RF Bias: 13.56 MHz (Maximum 9500W) RF RPS: 400 kHz (Maximum 6000W) Gas configuration (SCCM): MFC Full scale Gases: Gas / Range O2 / 400 SCCM NF3 / 100 SCCM HE / 600 SCCM SiH4 / 300 SCCM H2 / 1000 SCCM AR / 1000 SCCM SiH4 / 50 SCCM HE / 400 SCCM NF3 / 200 SCCM NF3 / 3000 SCCM AR / 3000 SCCM Does not include: Hard Disk Drive (HDD) 2007 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura AP Ultima X是一种先进的超清洁等离子体反应器,设计用于制造新型和先进的纳米级集成电路。该等离子体反应堆采用独特的设计特点,确保在蚀刻和沉积过程中均达到最高性能水平。这种等离子体反应器利用径向均匀性循环技术,在温度、压力和真空变化的影响下自动保持整个晶片相同的蚀刻特征大小。此外,与其他等离子体反应堆相比,这种等离子体反应堆提供了极快的启动时间,从而以较低的成本实现了快速的过程周期。AMAT Centura AP Ultima X具有较大的4英寸晶圆表面积,可实现最佳的吞吐量和生产率,可为高吞吐量要求提供高达600mm/秒的蚀刻速度。针对优越的晶片表面接触优化了压力船设计,最大限度地提高了晶片整个表面的蚀刻均匀性,确保不产生蚀刻热点。此外,这种先进的设计确保了APPLIED MATERIALS Centura AP Ultima X非常适合在晶圆上施加最小偏差的情况下蚀刻高长宽比结构。Centura AP Ultima X等离子体反应堆还提供完全集成的自动化/可编程性,允许用户针对任何给定的应用精确调整蚀刻工艺参数。该等离子体反应堆还配备了自我诊断和运行/过程监控,以帮助确保更可靠、可重复的过程。该系统具有先进的气体和等离子体控制系统,保证了工艺的最高水平的可重复性和均匀性,使产量更好。AMAT/APPLIED MATERIALS CENTURA AP Ultima X等离子体反应器是广泛集成电路蚀刻和沉积应用的理想解决方桉,满足工业和研发生产的要求。这个先进的系统具有独特的设计特点和集成的自动化和过程控制系统,为蚀刻和沉积过程提供了最高的性能。
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