二手 AMAT / APPLIED MATERIALS Centura DPS R1 #9189045 待售

ID: 9189045
晶圆大小: 8"
优质的: 1997
Poly metal etcher, 8" C1P2 WBLL HP DPS+ Poly (TwG, TMP: STP-2203) DPS R1 Metal (TwG,H1303) ASP VDS Gen: AX2115 OEM 12B3 GMW25 AE Atlas 2012 1997 vintage.
AMAT/应用材料AMAT/应用材料Centura DPS R1是为等离子体增强沉积工艺技术而设计的前沿反应器。DPS R1设计用于沉积半导体器件制造的介电层、绝缘体层和屏障层。该反应器是在满足最严格工艺要求的同时最大限度提高装置产量和性能的最佳解决方桉。DPS R1有一个低温等离子体(LTPTM)源,允许在提高过程稳定性和吞吐量的情况下执行温度敏感的过程。它还具有耐火金属离子注入选项(RMIIO),有助于保持等离子体物种分布均匀,有助于无缺陷沉积。DPS R1具有开放式管设计,使反应性等离子体能够有效地传递和均匀地传递到晶圆表面。自动化远程等离子体源(RPS)使反应堆的运行参数调整变得容易,SmartPlasmaTM控制技术确保了快速、可重复的调整。反应堆的高级边缘排除系统(Advanced Edge-exclusion System, AES)可防止晶圆边缘效应,并确保整个沉积过程的均匀性。闭环脉冲Power™ (CLPP)提供简单的功率控制和稳定的等离子体参数,以维持所需的目标规格。多区磁性基板控制(MMSC)有助于减少离轴阴影效应,并确保基板在晶圆卡盘上的精确定位。DPS R1还提供了一系列模块化选项,例如用于扩大等离子体覆盖范围的辅助电极和用于精确扫描控制的高级基板运动机械系统(ASMS)。该反应堆还有一个节能的ATC出口选项和一个多区域静电卡盘,对直径不超过8英寸的基板进行可靠的热管理。DPS R1确保了对腔室参数、等离子体种类和功率水平的精确控制。此外,这种先进的反应堆由于其全面的设计,允许高吞吐量和较低的拥有成本。适用于600°C以下至800°C以上的温度和过程,非常适合各种应用,如内存介电层沉积、高k屏障材料、低k介电层等。
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