二手 AMAT / APPLIED MATERIALS Centura DPS #9206770 待售
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ID: 9206770
晶圆大小: 8"
Metal etcher, 8"
Loadlock: Wide
Robot: VHP+
Position A: Metal DPS+
Position B: Metal DPS+
Position C: ASP+
Position D: ASP+
Position E: Fast cooldown
Position F: Orienter
CH A / CH B :
Metal DPS R1 chamber options:
Process application: DPS+
Upper chamber body: Anodizing
Electrostatic chuck type: Polymide
Turbo pump: SEIKO SEIKI STPH 1303C
DTCU: E-EDTU
Endpoint type: Monochromator
Bias generator: OEM 12B (-08)
Bias match: 0010-36408
Source generator: ENI GMW-25A, 2500W
Throttle valve and gate vave: VAT TGV
CH C / CH D :
ASP+ Chamber options:
Process kit: Chuck
Auto tuner: Smart match3750-01106
Magnetron head: 0190-09769
Generator: ASTEX AX2115
Process control: Manometer
Gas box:
VDS type: 750SCCM
IHC Module: MKS 649
Transfer chamber options:
Transfer ch Manual Lid Hoist: Yes
Robot type: VHP+
Cable length:
Umbrical: 55FT.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura DPS是一种高性能的等离子体芯片热处理设备，能够在半导体晶片上产生详细的图样和器件。它使用介电壁等离子体源将薄膜沉积在各种电子和器件制造应用上。该设备采用坚固的自稳定工艺，简化了开发，便于均匀性和均匀的薄膜化学计量。DPS具有射频输电系统,可实现稳定的薄膜沉积、陡峭的温度状态变化和低压沉积,其通量高于同类工艺,质量相同或更高。DPS利用工业微波源，生成钛铝等金属的高密度等离子体源。然后将等离子体注入一个包含一系列不同构型的介电壁的工艺室。这些壁有助于控制等离子体的流动，使薄膜在平面和曲面上均匀无接触沉积。控制器主板提供对循环时间和热量的严格控制,允许精确的时间和温度控制,同时允许一次在单个晶片上对薄膜进行精确的低压沉积。该加工室采用高温陶瓷和玻璃部件建造。它利用真空针床设计，对等离子体的压力和温度提供精确的控制，允许各种薄膜厚度和组成矩阵。介电壁有助于更好地控制沉积速率，同时最大限度地减少污染问题。壁可以很容易地调节，并且在腔室致动时是自清洁的。DPS系统是一种高质量、高成本效益的设备，它提高了吞吐量，并为生产各种用途的半导体晶片提供了均匀的薄膜沉积。该系统允许定制蚀刻、图样化和薄膜沉积，以及为设备和电路应用生产各种栅极氧化物、栅极电介质和绝缘层。该设备快速可靠，是半导体制造生产和研究的重要设备。
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