二手 AMAT / APPLIED MATERIALS Centura DxZ #9093320 待售
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ID: 9093320
CVD System, 8"
(3) Chambers: DxZ
Ch. A:
MANOMETER:100/2
HEATER: AL
CLEAN METHOD: AE 2000-2V
Pressure METHOD: Direct drive throttle valve
CH. B:
MANOMETER:100/2
HEATER: AL
CLEAN METHOD: AE 2000-2V
Pressure METHOD: Direct drive throttle valve
CH. D:
MANOMETER:100/2
HEATER: AL
CLEAN METHOD: AE 2000-2V
Pressure METHOD: Direct drive throttle valve
1st Monitor: Through the wall
2nd Monitor: Stand alone
Narrow body loadlock
HP Robot
OTF
Valves: Unit MFCs
Filters: Milipore
Regulators: Veriflo
System cabinet exhaust: Top
Single line drop
Gas Pallet Config:
CH.A SIZE MODEL CH.B SIZE MODEL CH.D SIZE MODEL
SiH4 500sccm Stec MFCs SiH4 500sccm Stec MFCs SiH4 500sccm Stec MFCs
NH3 200sccm Unit MFCs NH3 200sccm Unit MFCs NH3 200sccm Unit MFCs
NF3 1 Slm Unit MFCs NF3 2 Slm Unit MFCs NF3 1 Slm Unit MFCs
N2O 500sccm Unit MFCs N2O 500sccm Unit MFCs N2O 500sccm Unit MFCs
N2 5 Slm Unit MFCs N2 5 Slm Unit MFCs N2 5 Slm Unit MFCs
Process: nitride deposition (Nit. Pass.)
1996 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura DxZ 2.5MW PECVD Reactor设计用于沉积无定形、微孔、硅和氮化碳等先进材料。它具有高度的可配置性,并为各种应用程序提供沉积解决方桉。AMAT Centura DxZ反应堆是一种寄生的平行板反应堆，利用磁化等离子体产生均匀持久的沉积气体流动。这样可以优化所有表面的沉积速率和保形涂层。该反应堆设计用于沉积厚度从2纳米到8微米的层。PECVD工艺在各种几何形状上提供了卓越的步长覆盖,同时保持了较低的热载荷。APPLIED MATERIALS Centura DxZ反应堆配备了高达2.5兆瓦的源功率，允许较高的沉积速率。等离子体密度是可调的，允许不同气体组合的最佳掺入。它还具有两个独立的气体进料，允许对温度、压力和掺杂等离子体参数进行独立控制。Centura DxZ反应堆的运行压力范围在0.01毫巴至4毫巴之间，允许包括蚀刻和沉积在内的多种工艺。温度范围可在200至900摄氏度之间调节，允许不同的工艺配方。反应堆还可以配置为稳定和可重复的过程控制，提供一次又一次的一致结果。AMAT/APPLIED MATERIALS Centura DxZ设计用于安全可靠的操作。它配备了几个安全系统，如车载清洗系统和温度感测。这样就能够安全运作，并防止由于残留气体的存在而造成的潜在污染。总体而言，AMAT Centura DxZ反应堆是一种先进的工具，用于为不同的应用沉积各种先进材料。其宽广的工作温度和压力范围，结合高功率和稳定、可重复的工艺控制，使其成为灵活可靠的沉积解决方桉。
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