二手 AMAT / APPLIED MATERIALS Centura DxZ #9176687 待售
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ID: 9176687
Chamber, 8"
Wafer shape: SNNF
Chamber type:
PE TEOS DxZ (Delta MF oxide)
Chamber B:
Frequency type: Mixed
Heater: 0010-050254
Manometer type: Single 100 torr
Throttle valve: Dual spring
Chamber O-ring: Chemraz
Cover plate: Dimpled
Clean method: RF
Endpoint detector: Chamber
Gas delivery option:
Single line drop: No
Valve: FUJIKIN 5 Ramax
Filter: Millipore Ni 10 Ramax
MFC: STEC 4400 MC
Regulator: Verfilo
Transducer: MKS with display
Display gas pallet: Yes
Gas pallet:
Line 4: N2 Purge
Line 5: N2 Purge
Line 6: NF3 300 sccm
Line 7: C2F6 2 SLM
Line 8: O2 3 SLM
Line 9: N2 1 SLM
Liquid sources:
TEOS Delivery type: EPLIS
MFO Type: Unit 1661C
TEOS LFM: 1.5 QFM
LFM maker: STEC
Carrier 1: HE 3 SLM
Cable length:
Controller signal cable: 25ft
RF coaxial cable: 50ft
Pump signal cable: 50ft
RF generators:
HF RF generator: AE RFG 2000-2V
LF RF generator: AE PDX 900-2V.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura DxZ Reactor是一种先进的原位高温化学气相沉积（CVD）设备，设计用于加工硅和复合半导体材料，用于先进的器件制造。它是为制造过程和研发实验室而建造的。该系统具有真空密封的模块化腔室，并配备了温度和气体控制装置，以及样品处理和现场诊断功能。AMAT Centura DxZ Reactor能够处理硅和复合半导体材料，可以配置为单晶片或批处理工具。该机组还配备了先进、高效的涡轮分子泵，能够输送高真空压力，标称性能为2x10-4Torr。该机器设计用于在高达1050°C的温度下处理硅和复杂的复合半导体薄膜，并且可以配置可选的激光加热系统和样品卡盘，以达到更高的温度。在675°C的腔室中,环境控制的腔室可实现稳定的过程温度和气体控制,从而提高了过程均匀性并减少了热漂移,温度均匀性±为3°C。该工具能够对多达8种气体进行精确的气体流量控制和纯气体输送，对多达8个区域进行单独的流量控制，并具有提高工艺均匀性和降低膜污染风险的批量处理能力。该资产还配备了现场诊断和闭环反馈模型，旨在保持流程的统一性和可重复性。这种反馈设备可以准确地监视、记录和控制整个过程，而现场诊断能够测量、监控和控制薄膜厚度和其他参数。该系统还能够执行额外的、不同的cuicuy过程，例如外延沉积，以便在复杂的半导体薄膜层中实现所需的材料特性。APPLIED MATERIALS Centura DxZ Reactor专为生产和研究而设计,提供高性能的过程能力、一致性和可重复性,以满足一系列应用和研究需求,包括先进的设备制造、薄膜太阳能电池等。利用其能力，该装置有望显着提高薄膜沉积效果和精度，降低成本并提高器件产量。
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