二手 AMAT / APPLIED MATERIALS Centura DxZ #9233113 待售
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ID: 9233113
System, 8"
Process: SIN
Wafer shape: Notch
Chamber type:
Chamber A, B & C: DxZ (SIN)
Chamber E (MS Cool)
Chamber A & B & C:
Manometer: 100/2
Heater: AL
Clean method: AE 2000-2V
Pressure method: Direct drive throttle valve
System monitor:
Monitor 1: Through the wall
Monitor 2: Stand alone
Mainframe:
Loadlock: Narrow body
HP Robot
OTF
Gas delivery option:
MFC Type: STEC 4400MC
Filters: MILLIPORE
Regulators: VERIFLO
System cabinet exhaust: Top
Single line drop
Cables:
Qty / Part number / Description
(1) / 0150-76207 / Cable, assy main frame umbilical
(1) / 0150-76208 / Cable, assy main frame umbilical
(1) / 0150-76209 / Cable, assy main frame umbilical
(1) / 0150-76211 / Cable, assy pneumatics umbilical
(3) / 0150-76206 / Cables, assy, chamber umbilical
(1) / 0150-76210 / Cable, assy, load lock umbilical
(1) / 0150-76176 / Cable, assy, chamber E umbilical
(1) / 0150-35880 / Cable, assy, robot controller
(1) / 0150-10234 / SYS Interconnect cable
(1) / 0150-76198 / Assy cable
(1) / 0150-20100 / Cable, assy.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura DxZ是一种高功率等离子体蚀刻反应器，设计用于从半导体中去除不同种类的材料。它使用专利的高密度等离子体（HCD）技术，通过使用远程加热的高密度等离子体源来产生高功率等离子体。从基材中去除材料的过程称为蚀刻，AMAT Centura DxZ被设计为在介电、金属和有机层上蚀刻基材，精度和表面均匀性异常高。APPLIED MATERIALS Centura DxZ是一种全自动设备，由一个可同时处理多达十个基板的旋转台和一个垂直圆柱形反应堆室组成。样品被放置在桌子的平台上，并自动送入创建等离子体的腔室。等离子体在真空中产生，保持在一定的温度和压力下，以确保蚀刻过程尽可能有效和均匀。该系统还设有端点检测单元，用于准确监控过程，并在达到所需蚀刻深度时进行检测。使用Centura DxZ的主要优点是能够以更高的蚀刻速率进行蚀刻。大功率等离子体允许更快的处理，允许创建质量更高、周转速度更快和生产成本更低的设备。此外，该机器被设计为提供极高的过程均匀性，这意味着多个晶片将具有相似的特性。AMAT/APPLIED MATERIALS Centura DxZ是那些需要对其基材进行高功率蚀刻工艺的用户的理想选择。AMAT Centura DxZ具有自动化功能、更高的蚀刻速率、更好的均匀性和更低的拥有成本,是蚀刻半导体基板的有力选择。
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