二手 AMAT / APPLIED MATERIALS Centura Epi #9249281 待售
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已售出
ID: 9249281
晶圆大小: 12"
优质的: 2002
System, 12"
Platform type: Centura, 12"
(2) Chambers
System configuration:
Application level 1: Reduced pressure
Application level 2: Reduced pressure
Chamber A: (RH3) Reduced pressure EPI
Chamber B: (RH3) Reduced pressure EPI
Electrical: SEMI
Chamber A:
Thickness control option: AccuSETT 2
Recipe control AccuSETT
Lamp type: USHIO BNA8
Chamber B:
Thickness control option: AccuSETT 2
Recipe control AccuSETT
Lamp type: USHIO BNA8
Gas delivery
Pump purge
Transducer display type: SI (KPA)
Single H2 leak detector
Gas pallet:
Slots / Chamber A / Chamber B
Slot 1 / N2 / N2
Slot 2 / HCL / HCL
Slot 3 / SiH4 / SiH4
Slot 5 / Si2H6 / D-DOP#1
Slot 6 / HCL / D-DOP#2
Slot 7 / DCS / DCS
Slot 8 / GeH4 / GeH4
Slot 9 / M-DOP#1 / M-DOP#1
Slot 10 / M-DOP#2 / M-DOP#2
Main frame:
Type: STD Centura
Batch loadlocks
Upper frame H2 leak detector
Mass flow verification
YASUKAWA Wafer transfer robot
Pre aligner orienter
End effecter: Edge grip peek material
2 Slots wafer storage
Wafer mapping: LED Sensor detector
(2) Load parts
2002 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura Epi Reactor是半导体器件制造过程中精密沉积和处理外延氧化物层的先进设备。AMAT Centura Epi反应堆配有气体输送系统和真空室，旨在在整个处理区域实现精确的均匀性和精确的一致性。该腔室具有多层次的自动化能力，允许针对不同外延氧化层的各种工艺配方。Centura的EPI反应堆可用于最大程度地提高生长速度和最小化缺陷密度，从而产生最光滑、最密集、最均匀的外延氧化层。最终产品的全局一致性确保了可靠可靠的设备性能。这种均匀性是通过优越的工艺自动化和先进的沉积力学相结合实现的，可以减少整个工艺时间。Centura的EPI反应堆通过四级调制射频源采用先进的阻抗耦合控制设计，可提供对外延氧化物层厚度和均匀性的精确控制。先进的调制意味着该单元可以精确控制反应温度和压力，以及折射率、波导色散、吸收等其他性质。这样可以在处理过程中实现最佳的增长率和厚度。除先进的沉积力学外，森图拉的EPI反应堆还配备了最多五条独立气体输入线的气体输送机。这允许沉积均匀一致的多层外延氧化层。例如，一个感应耦合等离子体（ICP）源可以用来电离一个输入气体，并且该气体可以精确地剂量到反应室中。电离气体随后与其他气体反应生成所需的外延氧化层。综上所述，APPLIED MATERIALS Centura Epi Reactor是一种最先进的外延氧化物层沉积工具，提供精确而均匀的外延氧化物层。设计采用先进的调制射频源、多级自动化和先进的气体输送资产，为外延氧化层沉积提供了最佳条件。利用先进的工艺控制，可以在较短的工艺时间内实现高质量的外延氧化层。
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