二手 AMAT / APPLIED MATERIALS Centura HTF EPI #9045084 待售
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ID: 9045084
System, 8"
(2) Process chambers:
Position A : RP Poly
Position B : RP Epi
Isolation valve
PCV wet cleaned
Rotation rev 4 with no wobbling kit
Upper and lower lamp modules
Dual manometer: 100, 1000Torr
Wide body loadlock mainframe:
SMIF option
Missing plastic door cover
Robot:
HP motor
Quartz blade reduced contact installed
Gas panel configuration: CCTP for HTF Centura EPI 01 with divert option
(3) Blowers: A, B, C
AC Rack:
Boards
HSMS
(2) Lamp drivers
Quartz parts:
EPI/POLY 2 Lower Dome 0200-35042
EPI/POLY 2 Upper Dome 0200-35007
EPI 2 Upper Liner 0200-35017
EPI 2 Lower Liner 0200-35023
EPI 4 Insert Quartz Inject 0200-35019
EPI 2 Baffle 0200-35020
EPI/POLY 4 Insert Quartz Exhaust 0200-35018
EPI/POLY 2 Wafer Lift Shaft 0200-35424
EPI 1 Pre-Heat Ring Toshiba 0200-35081
EPI 1 Susceptor Toshiba Non Center Post 0200-36727
EPI 1 Shaft Non Center Post 0200-00412
EPI 3 SiC Support Tips 0200-00207
EPI 3 Hollow Lift Pins (SiC) 0200-36642
POLY 1 Susceptor Support Shaft 0200-35573
POLY 1 Susceptor Xycarb 0200-35157
POLY 1 Preheat-Ring SGL 0200-35022
POLY 3 Lift Pins (Quartz) 0200-35207
EPI/POLY 2 Anti rotation pin 0200-03486
No process kit
No vacuum pumps
Crated and warehoused.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura HTF EPI（高温快速热流）反应器是一种半导体制造工具，用于处理用于生产集成电路（IC）的基板。它专为要求温度在500-900°C之间的高效工艺应用而设计。这种工具是一种单晶圆工艺炉，它提供了一系列用户定义的加工参数，包括获得专利的热流控制，以减少工艺时间。AMAT Centura HTF EPI在整个晶片上提供了增强的基板温度均匀性，同时减少了加工时间，因此成为高生产率IC制造的理想选择。APPLIED MATERIALS Centura HTF EPI配备了现代化的微处理器控制设备，用于监控晶圆温度。它有一个内部定制的气体控制模块，为腔室内的气体溷合提供了无限的选择。Centura HTF EPI还有一个专利的热流控制，它调制工艺气体的流量，以减少工艺时间。这座反应堆还配备了二次加热系统，使冷热室部分能够均匀独立加热。AMAT/APPLIED MATERIALS Centura HTF EPI是一种紧凑节能的装置，使其成为生产复杂IC结构的可靠反应堆。AMAT Centura HTF EPI容量为每批6英寸晶圆,可提供最大吞吐量,同时提高晶圆均匀性和产品产量,即使在高温下也是如此。它还提供了改进的晶圆污染控制和低毒性工艺化学品。APPLIED MATERIALS Centura HTF EPI设计具有隔离气体压力控制阀和真空净化功能等安全特性,可降低氧化、污染和电气故障的风险。此外，该机的后加工冷却功能有助于最大限度地减少热倾斜和热漂移，提高工艺的重复性和减少晶圆上的颗粒沉积。Centura HTF EPI采用了最先进的技术和现代化的控制系统,旨在确保最安全的半导体处理效率。该反应器的高通量和精确控制使其成为高生产率IC制造的理想选择。
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