二手 AMAT / APPLIED MATERIALS Centura II DPS #115097 待售
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ID: 115097
Poly etch system
Wafer Shape: SNNF (Notch)
Centura II M/F:
Robot: HP+
Wafer on Blade Detect
Umbilicals :
Cntrl M/F: 40ft
Cntrl AC: 75ft
AC Rack M/F: 60ft
Pump M/F Intfc: 75ft
RF PS Chamber: 75ft
Facility Connections: M/F Rear
System AC / Controller:
66” Common Controller
System SW: Legacy E4.5
GEMS / SECS Interface
GEMS SW ver.: E4.5
Load Locks:
Narrow Body w/Tilt-out
25-Wafer Cassettes
Chambers:
Position Chamber Type
E Orienter (OA)
F Orienter (OA)
A DPS+ Poly
B DPS+ Poly
C -
D DPS+ Poly
Chamber A/B/D: DPS+ Poly
Pedestal Type: Ceramic ESC
Single zone independent He control
Endpoint Type: Monochromator
Chamber E: Orienter (OA), narrow hoop
Chamber F: Orienter (OA), narrow hoop
Heat Exchanger / Chiller:
H2000 DI EG
Fluid Type: 50/50 (water/glycol)
Power Requirements: V 208, 3-Phase, 4-Wire, Freq 50 / 60Hz
Gas Box Config:
Vertical height: 31”
(10) Gas line positions per Pallet
Valve Type: Veriflo
Filter Type: Millipore
Transducer Type: MKS
Controller Type: Standard (VME/VMEII)
Facility Line Connection: Single Line Drop, AC side, Bottom Fed.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura II DPS是一种设计用于先进材料生产的高温化学气相沉积（CVD）反应器。使用CVD技术，Centura II允许以极高的精度和精确度将薄膜和层沉积到各种基板上。该工艺高度可控，可针对所需的应用量身定制，使其成为半导体制造、介电膜层、金属互连层等应用的理想选择。Centura II能效高,生产速度快。CVD腔室和工艺旨在减少化学副产物，减少运行时间和成本。这也有助于提高设备中使用的零部件的使用寿命。其温度控制系统可实现精确的温度控制,保证过程的均匀性和可重复性.Centura II提供了一个动态压力缩放单元，允许调整原位腔室压力。这保证了反应副产物的均匀性，以及调整反应性和沉积速率的能力。该机配备了多区控制，允许更宽的基板温度控制，增加均匀性，减少涂层和薄膜层的缺陷。Centura II也极为通用，能够容纳多种基板，包括硅、石英和石英/硅基板。它还有能力处理各种前体，包括气态前体和有机金属前体。这使得它能够用于半导体制造之外的各种应用。Centura II也易于操作和配置,具有简单的用户界面。这使得快速添加或更改操作参数变得容易，从而减少了培训操作员的时间和成本。此外，该工具还具有高级特性，如准分子金属种子和前体输送，以提高层沉积的准确性和均匀性。Centura II是一种高性能和可靠的CVD资产,旨在以极高的精度和精确度沉积薄膜层。其高效的设计和多功能性使其成为半导体制造、介电膜层和金属互连的理想选择。其用户友好的界面和高级功能使其成为任何应用程序的绝佳选择。
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