二手 AMAT / APPLIED MATERIALS Centura II DPS+ #9253108 待售
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ID: 9253108
晶圆大小: 8"
优质的: 2000
Poly etcher, 8"
Loadlock: Narrow
Position A, B, C: Poly DPS+
Position F: Orienter
Chamber A, B, C:
Upper chamber body: Anodizing
Electrostatic chuck type: Ceramic
Turbo pump: SEIKO SEIKI STP-A2203
DTCU: E-EDTU
Endpoint missing
Bias generator: ENI ACG-6B
Bias match: 0010-36408
Source generator: ADVANCED ENERGY ALTAS 2012
Throttle valve and gate valve: VAT TGV
Gas box:
IHC Module: MKS 649
Transfer chamber manual lid hoist missing
Robot: VHP+
Umbrical cable: 50 ft
2000 vintage.
AMAT/APPLICED MATERIALS Centura II DPS+Reactor是专为大体积半导体製造和先进应用过程而设计的增强型等离子体处理设备。它是一种高通量、单晶片干蚀刻工具,用于蚀刻薄膜器件,如多晶硅和氮化硅。该反应堆利用一个专有的大气压力远程等离子体源(APRPS),使保形膜能够沉积,从而提供最小的外部物质沉积。AMAT Centura II DPS+Reactor适合多种蚀刻沉积过程,能达到非常高的精度和重复性。APPLIED MATERIALS Centura II DPS+Reactor是一个独立的系统,由工艺室、气体分配单元和APRPS源组成。该工艺室由耐用的不锈钢制成,旨在在精确的控制和监控下提供高度精确、均匀的晶圆加工。气体分配单元用于将工艺气体、等离子体和前体输送到晶片平面,允许在多个晶片上一次进行均匀的等离子体蚀刻。APRPS源,又称"大气压力自吹扫等离子体技术"或AP-SPT,是Centura II DPS+反应堆背后的驱动力。它由先进的等离子体源组成,可以使用未钝化或钝化的晶片进行蚀刻,同时提供精确的蚀刻轮廓,可以进行优化以适应特定的工艺要求。AMAT/APPLIED MATERIALS Centura II DPS+Reactor提供多种工艺能力,如基于时间的蚀刻、反应性离子蚀刻(RIE)以及各向异性和各向异性的干蚀刻。它还可针对能够实现超浅沟槽蚀刻的深层反应性离子蚀刻(DRIE)工艺进行优化。它还具有先进的温度监测单元,有助于提供最佳的操作性能和工作效率。此外,它还具有先进的诊断技术,如光学反馈和先进的温度控制,使过程参数的调整和维护更加容易。此外,AMAT Centura II DPS+Reactor提供电馈通,使稳定、高功率的晶圆处理具有低电压范围。总体而言,APPLIED MATERIALS Centura II DPS+Reactor是一种用途广泛、功能强大的半导体加工机,可实现精确、高度重复的蚀刻和沉积过程。对于需要用于高级应用程序过程的可靠、高通量工具的制造商来说,这是一个极好的选择。其广泛的功能、先进的诊断和温度监测系统,以及支持性的技术服务,使其非常适合各种处理需求。
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